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商品型号 SI2302ADS-T1-GE3-VB 商品编号 C6705304 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.040284克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 6A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd) 1.3W 属性参数值...
制造商编号SI2302ADS-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号D-SI2302ADS-T1-GE3 供货海外代购D代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 2.1A(Ta) N-Channel 60 mOhms @ 3.6A,4.5V 700mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 20V 数据手册发送到邮箱 ...
型号 SI2302ADS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2302ADS-T1-GE3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 7V 长度: 1.1mm 宽度: 7.8mm 高度: 1.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
SI2302ADS-..型号:SI2302ADS-T1-GE3-VB品牌:VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:20V- 最大电流:6A- 开态电阻 (RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8
> si2302ads-t1-ge3 datasheet pdf $ 0.039 si2302ads-t1-ge3 datasheet pdf - vishay manufacturer : vishay case package : sot-23-3 description : trans mosfet n-ch 20v 2.1a 3pin to-236 t/r pictures: 3d model symbol footprint pinout product pictures documentation : si2302ads-t1-ge3 ...
型号 SI2302ADS-T1-GE3 技术参数 品牌: PANA 型号: SI2302ADS-T1-GE3 封装: STOCK 批号: 22+ 数量: 6800 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 7V 长度: 9.5mm 宽度: 5.2mm 高度: 2.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展...
SI2302ADS-T1-GE3 Datasheet PDF VISHAY Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3Pin TO-236 T/R SI2302ADS-T1-E3 Datasheet PDF Vishay Siliconix MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.045Ω; ID 2.1A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W SI2302ADS-T1-GE3 ...
SI2302ADS-T1-GE3 Datasheet PDF VISHAY Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3Pin TO-236 T/R SI2302ADS-T1-E3 Datasheet PDF Vishay Siliconix MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.045Ω; ID 2.1A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W SI2302ADS-T1-GE3 Other Datasheet Vishay Siliconix...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2302ADS、 T1、 GE3、 VISHAY、 SOT23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 9V...