一般用Silicon wafer (100)做衬底，但是PDF卡片上只有(400)的峰，为什么不能直接有(100)的峰位？这两...
用HF洗一洗再测
Cu/Si02/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应 曹博,包良满,李公平,何山虎 (兰州大学物理科学与技术学院现代物理系,甘肃兰州730000) 摘要:室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(cu)膜.采用x射线衍射(XRD) 和卢瑟 福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu/SiOJSi(...
通过将Li4.4Si与球磨后复合负极粉末简单混合后制备得到Li4.4Si-nSi负极,经XRD、XPS、SEM和电化学性能测试结果表明,引入的Li4.4Si可为硫化物全固态电池提供额外的Li+,同时得益于锂硅合金低杨氏模量的特点以及在提供Li+过程中体积收缩产生的...
将锻造、退火以及热暴露处理后的合金精加工成M10mm×φ5mm的标准拉伸试样,在室温下进行力学性能检测。通过热暴露后的塑性损失率来表征合金的热稳定性。另外,采用光学显微镜(OM)、X射线衍射仪(XRD)、透射扫描电镜(TEM)对样品进行表征,分析...
下图为作者采用XRD手段分析的几种材料的晶体结构,从图中能够看到商业SiO材料在XRD图谱中展现了两个宽阔的峰,表明其无定形结构,而球磨6h的样品我们能够看到明显的晶体Si尖锐的特征峰,随着球磨时间的增加,这些特征峰的强度逐渐降低,并且特征峰也开始变的宽阔,这表明Si和SiO2开始反应生成SiOx材料,但是不同与前面XPS和NMR...
插图显示了 InP 衬底上生长的 InGaAs 膜的 XRD 摇摆曲线。可以看出，InP 基 InGaAs 峰的半峰全宽 (FWHM) 为 133 角秒。在 InP 衬底键合和湿法蚀刻之后，Si 基 InGaAs (0 0 4) 峰的 FWHM 略微减小至 112 角秒，表明 InGaAs 膜的晶体质量有所提高。这主要是由于 InGaAs 和 InP 衬底之间的热失配得到缓和...
在观察之前，用Helios 450s聚焦离子束（FIB）系统将LiNbO3/GaAs样品的厚度减薄至100nm以下。然后，在200-300kV的加速电压下以不同的放大倍数观察界面形貌。用X射线衍射（XRD）校准界面处的晶格条纹。利用能量色散X射线（EDX）光谱定量测量界面元素的分布率。3. 结果与讨论 3.结果与讨论 亲水性是表面活化键合的重要...
室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜.采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu/SiO3/Si(100)体系的扩散和界面反应.RBS分析得出:对于Cu/SiO2/Si(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显...
XRD pattern also shows the (110) peak of atomic layer deposited (ALD) HfO2 and the (100) peak of Si. The HfO2 films grown at 250°C by ALD was amorphous. However, the BT-BCN was deposited onto HfO2/Si at 750°C in an O2 ambient immediately after deposition of HfO2 films. ...