在Si(100)面上镀膜，XRD显示12度、35度、70度左右各有一峰，其中70度的峰远高于前两个度数的峰，而且查阅文献，其标70度峰为Si(400)(他用的也是Si（100）镀的膜)，请问为什么会这样标?而本人做的12度，35度峰，在其文献中并未出现，请问是否正常？~谢谢
测量硅片晶面取向的常规方法是X射线衍射(XRD)。其原理是利用X射线在晶体中的衍射现象,通过分析衍射角度和强度确定晶面间距和取向。硅为单晶材料时,XRD可精确测量特定晶面(如(100)、(111)等)的取向。操作步骤包括:将硅片置于测角仪上,发射单色X射线,通过探测器记录衍射峰位置,再根据布拉格定律(\(n\lambda = 2d\...
用HF洗一洗再测
4)由衍射知识获得金刚石结构的XRD消光规律 三、实验仪器设备和材料清单 X射线衍射仪、Si粉、SiO2粉等 四、实验方案设计 五、实验数据记录与处理 Si卡片号JCPDS,PDF27-1402 2θ(度) CuKaλ=1.54060Å d (Å) I/I1 (峰高比) hkl 28.44 3.1355 100 111 47.3 1.9201 55 220 56.12 1.6375 30 311 69.13 ...
在观察之前，用Helios 450s聚焦离子束（FIB）系统将LiNbO3/GaAs样品的厚度减薄至100nm以下。然后，在200-300kV的加速电压下以不同的放大倍数观察界面形貌。用X射线衍射（XRD）校准界面处的晶格条纹。利用能量色散X射线（EDX）光谱定量测量界面元素的分布率。3. 结果与讨论 3.结果与讨论 亲水性是表面活化键合的重要...
摘要:简述了X射线衍射(X-RayDiffraction,XRD)的基本原理,计算了硅晶体的消光特性,从理论上研究 了Si基薄膜XRD表征的特征。研究结果表明:由于薄膜的择优生长,Si基薄膜XRD谱与粉晶XRD谱存在差异; 并可能观测到Si基片的二级衍射峰。研究结果在实际应用中对分析硅基薄膜的晶体结构具有重要意义。
XRD 谱显示,随着合成温度升高(Si@SiC@C-1 至 Si@SiC@C-3),35.6°、60° 及 72° 处逐渐出现 SiC 的特征峰,证实 SiC 层的可控生成。Raman 谱中 ID/IG 比值从 1.15(Si@C)降至 0.93(Si@SiC@C-3),表明高温促进了碳层的石墨化,提升导电性。热重分析显示,Si@SiC@C 的初始分解温度(530°C)显著...
摘要:室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(cu)膜.采用x射线衍射(XRD) 和卢瑟 福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu/SiOJSi(100)体系 的扩散和界面反应. RBS分析得出:对于Cu/SiOJSi(100)体系,当退火温度高于350oC时,才产生明显的扩散,并且 ...
结果表明,在所使用的激光能量密度范围内,厚度为100nm的a-Si:H薄膜经激光晶化烧结已转化成为多晶硅,其临界能量密度为160mJ/cm2左右。在能量密度为240mJ/cm2 时,XRD谱中已出现了多晶硅的(111)、(200)特征衍射峰,以后随着激光能量密度的增加,(111)、(200)衍射峰的强度增强,在能量密度340mJ/cm2附近,(311)衍射...
采用热分解ZnO粉末法,以Au为催化剂,在Si(100)衬底上外延生长了ZnO纳米线阵列。用扫描电子显微镜(SEM)分析表明:ZnO纳米线的直径在100nm左右,长度约3μm,与衬底表面的夹角约为70.5°,纳米线具有四个特定的倾斜方向A,B,C,D。X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO(0002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿C轴择优生长。结合Si与ZnO...