由于沟槽功率MOSFET通常表现为较大的栅漏电容Cgd,也就是栅漏电荷Qgd较高。当器件工作在高频阶段时,因为栅漏电荷密勒效应的放大作用,会大大降低器件的频率响应,因此引入一种减小栅控沟道长度的沟槽栅MOSFET,称之为“分裂栅”结构(Split Gate),它不但具有沟槽结构导通电阻Rdson低的特点,而且具有平面DMOS开关特性好的优势。
SGT MOSFET优势介绍 MOSFET大致分类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，将器件电场...
,即屏蔽栅沟槽MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET),是一种半新型的功率半导体器件。它基于传统沟槽MOSFET技术,并通过结构上的改进来提升性能,特别是在降低导通电阻和开关损耗方面表现出色。接下来,我们将详细介绍SGT MOSFET的特点、优势以及应用领域。 1. 结构特点与优劣势 结构细节与核心创新 SGT MOS的关键结构创新是...
SGT MOSFET的沟槽深度较深，这使得它能够利用更多的晶硅体积来吸收EAS能量。因此，在雪崩时，SGT表现出更强的性能，能够更好地承受雪崩击穿和浪涌电流。此外，SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield能够有效吸收器件关断时dv/dt变化所带来的尖峰和震荡，从而展现出更佳的EMI特性。SGM041R8T是SGT MOSFET的一个典型代表，...
SGT-MOS的全称是“Split Gate Trench-MOSFET”,中文叫屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET。SGT-MOS严格意义上来说,在工艺上并没有特别之处,只是在传统沟槽MOSFET的工艺基础上做结构改进,提升了元器件爱你的稳定性、低损耗等性能而已。具体一点就是提升了器件的开关特性和导通特性,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg...
SGT-MOS的全称是“Split Gate Trench-MOSFET”,中文叫屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET。SGT-MOS严格意义上来说,在工艺上并没有特别之处,只是在传统沟槽MOSFET的工艺基础上做结构改进,提升了元器件爱你的稳定性、低损耗等性能而已。具体一点就是提升了器件的开关特性和导通特性,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg...
SGT-MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种创新的沟槽式功率MOSFET，基于传统沟槽式MOSFET（U-MOSFET）的改进。通过运用电荷平衡技术理论，SGT-MOSFET在传统功率MOSFET中引入额外的多晶硅场板进行电场调制，从而提升了器件的耐压能力和降低了导通电阻。这种结构设计使得SGT-MOSFET具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性优越等显著...
图：SGT MOSFET结构 封装优势：采用TO263-AB封装，使得VBGL1102在封装性能上更胜一筹。这种封装方式不仅提升了产品的稳定性，还进一步优化了散热性能，从而确保了器件在高负荷工作状态下的持久耐用。卓越的散热效果：其散热效率异常出色，特别适合用于高功率情境。即便在高温环境中，该MOSFET也能保持卓越性能。强大的承载...
SGT-MOSFET是对Trench MOS的一种改良结构。较传统Trench MOSFET,SGT-MOSFET在栅电极下方增加了一块多晶硅电极,即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连,即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用,减小了米勒电容,器件的开关速度得以加快,同时又实现了电荷耦合效应,减小了漂移区临界电场强度,器件的导通电阻得以减小,开关损耗...
SGT MOSFET作为中MOSFET的代表,被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统,是核心功率控制部件。 SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应,在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽,将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布,在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下,器件可以获得更高的击穿电...