屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET,简称SGT-MOS,是Split Gate Trench-MOSFET的一种简写,SGT-MOS 系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Split Gate Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性, 同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。 同时SGT技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导...
SGT-MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种创新的沟槽式功率MOSFET，基于传统沟槽式MOSFET（U-MOSFET）的改进。通过运用电荷平衡技术理论，SGT-MOSFET在传统功率MOSFET中引入额外的多晶硅场板进行电场调制，从而提升了器件的耐压能力和降低了导通电阻。这种结构设计使得SGT-MOSFET具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性优越等显著特...
从下图我们可以看到,2023年全球SGT-MOSFET全球的市场规模是19.48亿美金,中国市场规模则是8.53亿美金(约占全球市场规模的46.79%)。到2030年,SGT-MOSFET全球市场规模扩大到33.15亿美金,7年时间里,每年复合增长率约7.8%,SGT-MOSFET在中国市场规模可以达到15.54亿美金,7年时间里,每年复合增长率约8.95%。 从SGT MOS耐压类...
与普通沟槽MOSFET和平面MOSFET相比,采用SGT技术制造的MOSFET在功率密度上具有很大的优势。由于SGT MOSFET具有更深的沟槽深度,因此可以使用更多的硅体积来吸收EAS能量。所以SGT在雪崩方面可以做得更好,可以承受雪崩击穿和浪涌电流。 除了芯片本身的发展和迭代,封装技术的进步将对SGT的进步起到重要作用,例如150V和200V SGT...
SGT MOSFET产品主要应用于中压和低压领域,广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及锂电保护板,是核心功率控制部件。 本期内容要点主要围绕SGT MOSFET的工艺特点、优势特点、应用领域(电动工具、锂电保护板上)展开讲解。 一.工艺特点 SGT MOS工艺比普通沟槽更加简单,开关损耗更小。
维安SGTMOSFET的三大优势介绍 MOSFET大致可以分为以下几类:平面型MOSFET;Trench (沟槽型)MOSFET,主要用于低压领域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSFET,主要用于中压和低压领域;SJ-(超结)MOSFET,主要在高压领域应用。 2021-01-22 08:41:42
在开关电源，电机控制，动力电池系统等应用领域中，SGT MOSFET配合先进封装，非常有助于提高系统的效能和功率密度。提升SGT技术优势：功率密度 SGT结构相对传统的Trench结构，沟槽挖掘深度深3-5倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻（Specific Resistance），例如相同的封装外形TO-...
(应用于同步整流SGT MOS) 随着手机快充、电动汽车、无刷电机和移动储能的兴起,中低压MOSFET的需求越来越大。SGT MOSFET作为中低压MOSFET的代表,被广泛应用于手机快充、电机驱动和电源管理系统等领域,成为核心功率关键部件。 (VBsemi SGT MOS型号展示) 微碧半导体的中低压SGT系列产品以其先进的生产工艺、优良的性能和良好...
值得一提的是,依托本土庞大的中压MOSFET市场需求,国产器件在中低压领域替换进口品牌的潜力极大,维安在高功率密度、低内阻的SGT MOSFET上面进行积极布局,结合市场和客户的需求,在产品工艺、封装上持续创新。 针对不同的应用场景,在产品系列、规格尺寸上推荐选型如下: ...
SGT MOSFET是一种新型的功率半导体器件,具有较低的寄生电容和导通电阻,因此在开关电源等领域应用广泛。通过采用多层外延技术,SGT MOSFET的性能得到了进一步提升,可以更好地满足高频率、高功率密度的应用需求。 此外,多层外延SGT MOSFET还可以提高器件的可靠性和稳定性,减少热载流子效应和雪崩击穿等问题。这种器件在新能源...