低导通电阻:SGT MOSFET采用了深沟槽技术,并在栅电极下方增加了多晶硅电极,这有助于减小漂移区的临界电场强度,从而显著降低器件的导通电阻。例如,与普通沟槽型MOSFET相比,SGT MOSFET的内阻可以低2倍以上。 低开关损耗:SGT MOSFET的设计降低了米勒电容(Miller capacitance)和栅电荷(gate charge),
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压,产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。 技术探讨 发布时间 : 2024-03-01 基于屏蔽栅沟槽技...
无论trench MOS还是SGT MOS，核心特点，是沟槽。如能透彻理解trench在功率MOSFET中的作用，这三种结构的...
SGT MOSFET的优势解析 SGT MOSFET,即屏蔽栅沟槽MOSFET,是一种先进的功率半导体器件。这种技术改变了MOSFET内部电场的形态,将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场,可以进一步减小EPI层的厚度,降低导通电阻Rds(on)。 2025-01-22 13:55:54 替代Trench MOSFET?国产SGT MOSFET产品井喷 电子发烧友网报道(文...
深圳市博特半导体有限公司是一家致力于半导体功率器件以及智能芯片的研发、制造、销售为一体企业,产品广泛应用于智能工控、新能源、5G通讯、各种智能家电产品,已形成高压MOSFET、中低压MOSFET产品系列,智能电源管理集成电路等产品门类。