金融界 2025 年 2 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市芯歌电子科技有限公司取得一项名为“一种抗热抗震的 SGT-MOS 器件”的专利，授权公告号 CN 222421963 U，申请日期为 2024 年 5 月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种抗热抗震的 SGT‑MOS 器件，包括：器件本体，散热机构，以及抗震机构，器件...
SGTMOS器件的工作原理是利用电荷耦合效应,在传统沟槽MOSFET垂直耗尽(p-body/n-epi结)的基础上,引入了水平耗尽,改变了器件内部的电场分布,使其由三角形分布变为近似矩形分布。这种结构使得器件在采用同样掺杂浓度的外延规格情况下,能够获得更高的击穿电压,因此在中低压功率器件领域得到了广泛应用。©...
对于IGBT器件而言，其核心参数包括饱和压降典型值、关闭损耗、二极管正向压降以及栅极电荷。而对于SJ MOS管和SGT MOS管，其关键性能指标则主要聚焦于导通电阻与栅极电荷的乘积优值以及单纯的导通电阻。这些参数不仅决定了器件的性能优劣，更是各类应用场景选择功率器件的重要依据。
SGT功率MOS器件意在针对现代电力电子应用的需求,例如电动车充电桩、可再生能源转换,以及高效电源模块等提供卓越的技术支持。主要特点包括高效能和低损耗,这些优势使得设备在实际使用中可以显著提升电能的使用效率,从而降低能源的消耗,推动可持续发展的理念。 从技术层面看,集成势垒夹断二极管技术的应用,增强了MOS器件在高压...
安建科技(深圳)有限公司 (JSAB) 是一所专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司。拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率半导体研究的美国电子电气工程师学会院士(IEEE Fellow)所领衔的业内顶尖技术团队,在2020年中国创新创业大赛中
晶恒电子取得集成势垒夹断二极管的 SGT 功率 MOS 器件及加工工艺专利 金融界 2024 年 11 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，济南晶恒电子有限责任公司取得一项名为“集成势垒夹断二极管的 SGT 功率 MOS 器件及加工工艺”的专利，授权公告号 CN 113611747 B，申请日期为 2021 年 8 月。本文源自：金融界 作者...
摘要:本实用新型公开了一种用于超低负载加热的SGT‑MOS器件,包括:MOS器件本体,设置于MOS器件本体外部的防护壳,以及设置于防护壳下侧的引脚保护套;引脚保护套的上表面固定设置有连接板,防护壳套装于连接板的外部,防护壳的两个短边的下表面均开设有椭圆活动槽和半圆限位槽,连接板靠近椭圆活动槽的一侧设置有连接机构...
安建科技(深圳)有限公司 (JSAB) 是一所专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司。拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率半导体研究的美国电子电气工程师学会院士(IEEE Fellow)所领衔的业内顶尖技术团队,在2020年中国创新创业大赛中
1.一种具有低漏电高稳定性的沟槽型SGT-MOS器件,其特征在于:所述器件的外延层(1)处设有若干内置有多晶固体(15)的沟槽(12);所述多晶固体呈I型结构;所述沟槽的底部及内侧壁处均设有与多晶固体贴合的绝缘层;所述沟槽内侧壁处的绝缘层的顶部低于外延层,使绝缘层、外延层和多晶固体的侧壁围成位于I型多晶固体...
天眼查App显示,导语: 上海芯导电子科技股份有限公司近日公布了一项关于SGT MOS管器件结构制备方法的发明专利,该专利旨在提高SGT管的耐压性能并降低栅源电容。 关键点: - 专利名称: SGT MOS管的器件结构制备方法 - 专利号: CN202411442909.2 - 公布日期: 2025年3月11日 ...