SGT因低Rds(on),在低压区电流密度显著高于平面MOS(例如30V器件在Vgs=10V时,Ids可达600A/cm²,平面MOS仅300A/cm²)。 饱和区(Vds > Vgs - Vth): SGT的跨导(gm)更高,因分栅设计增强栅极对沟道的控制(例如gm=50mS/mm vs. 平面MOS的30mS/mm)。 动态特性与开关损耗 导通延迟(td(on)):因Qg低,SGT...
屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET,简称SGT-MOS,是Split Gate Trench-MOSFET的一种简写,SGT-MOS 系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Split Gate Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性, 同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。 同时SGT技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导...
图1:Trench MOS和SGT MOS器件结构 SGT技术优势,具体体现: 优势1:提升功率密度 SGT结构相对传统的Trench结构,沟槽挖掘深度深3-5倍,可以横向使用更多的外延体积来阻止电压,显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻(Specific Resistance),例如相同的封装外形PDFN5*6,采用SGT芯片技术,可以得到更低的导通电阻。 图2:Trench MO...
SGT-MOS的全称是“Split Gate Trench-MOSFET”,中文叫屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET。SGT-MOS严格意义上来说,在工艺上并没有特别之处,只是在传统沟槽MOSFET的工艺基础上做结构改进,提升了元器件爱你的稳定性、低损耗等性能而已。具体一点就是提升了器件的开关特性和导通特性,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)...
MCU作为输出直流信号的器件，其驱动能力在面对大功率MOS管时显得捉襟见肘。为了驱动电机并产生大电流，我们通常需要借助占空比来调节驱动芯片，从而确保电机上的均匀电压达到理想的转速。在电机驱动领域，N沟道MOSFET常被用于构建H桥驱动电路。这种电路因其形状酷似字母H而得名，由四个开关组成，电机则位于横杠位置。要使...
微碧半导体：以SGT与超结MOSFET助力AI技术腾飞 微碧SGT MOSFET和超结MOS系列产品凭借其高效能、高可靠性、快速响应和多样化封装设计，为AI服务器、GPU/TPU供电、数据中心、边缘计算设备、AI加速卡、机器人以及高性能计算平台等应用场景提供了高效的电源解决方案。这些产品不仅满足了AI硬件对高效能和高功率密度的需求，还...
近年来,SGT作为一种新型MOSFET技术,越来越受到中国本土厂商的关注,并投入了大量资金和资源。从整个行业来看,SGT在全球范围内也属于中低压MOSFET领域的尖端功率器件技术。不少元器件厂家等国际功率半导体厂商做得最好。 下面,我们简单介绍一下MOSFET SGT及其优点。
VBGL1102 MOS管的引入将进一步拓展新能源领域的应用范围，为电动车、光伏发电和其他领域的电气系统带来更高效、更可靠的解决方案。其优越的性能和稳定性将有助于推动行业的发展，为用户提供更加可靠和高效的电力传输与转换方案。以下是VBGL1102 SGT-MOSFET的参数：Vds（漏极-源极电压）：100VRds(ON)（导通电阻）：0...
SGTMOSFET,即屏蔽栅沟槽MOSFET,是一种先进的功率半导体器件。这种技术改变了MOSFET内部电场的形态,将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场,可以进一步减小EPI层的厚度,降低导通电阻Rds(on)。 (图1:Trench MOS和SGT MOS器件结构) MOSFET大致可以分为以下几类:Trench (沟槽型)MOSFET;SGT(Shielded Gate Tren...
目前，旷通SGT系列产品已广泛供货，为国产半导体器件的崛起贡献力量。这些产品特别适用于电机控制，如电动工具、扫地机、除草机、平衡车、滑板车和E-Bike电动车等，多为BLDC无刷电机控制电路。根据电机电压的不同，可以选取相应规格的MOS，常用电压范围为30V-150V，主要采用TO-220/TO-263/TO-252封装。未来，旷通...