MOSFET,Silicon carbide,Simulation,High-voltage techniques,Logic gates,Split gate flash memory cells,ReliabilitySplit Gate MOSFET (SG-MOSFET) is one of the effective way to lower the gate-drain capacitance (CGD). However, the applicability of 3.3 kV SiC MOSFET has not been studied yet. In this...
DIODES 的 ZXMS6005SG 是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧 IntelliFET™ MOSFET。集成超温功能;过流、过压(有源钳位)和 ESD 保护逻辑电平功能。ZXMS6005SG 非常适合作为在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。 产品规格 品牌DIODES型号ZXMS6005SG名称60V N 沟道自保护...
深圳市亿创微芯电子有限公司历经13年的发展,为泉芯QX,禾芯微hx的一级授权总代理,同时与国内微盟ME,TOREX,TP拓微,PT华润矽微,fp远翔,XL芯龙,台湾极创等原厂有紧密的合作,致力于电源管理芯片的代理销售及方案解决,为国内的OEM、ODM、ESE厂商提供高性价比的电子元器件,包括电源管理IC、LED驱动IC、MOSFET、电池管理...
DIODES 的 ZXMS6004SG 是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧 MOSFET。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和 ESD 保护逻辑电平功能。ZXMS6004SG 非常适合作为在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。 产品规格 品牌DIODES型号ZXMS6004SG名称60V N 沟道自保护增强型智能 ...
电子器件-MOSFET-工作原理、理想MOS电容(平带、堆积、耗尽、反型) 3767 7 32:37 App 电子器件-MOSFET-MOS电容的C-V特性、隧穿效应 2900 11 01:53:12 App 电子器件期中速通版-金属半导体结、JFET、MESFET、MOSFET 1164 0 11:53 App 电子器件-MOSFET-理想情况下阈值电压的计算 1462 2 59:29 App 电子器件...
SGMNQ36430 is a 30V, Power, Single N-Channel, PDFN Package, MOSFET. Designed for CPU Power Delivery, DC/DC Converters and other applications.
MEM2311SG 系列系列 双双沟道沟道 系列系列 描述描述:: 特点特点:: 描述描述:: 特点特点:: MEM2311SG 系列系列 双 P 沟道增强型功率 -30V/-6A 系列系列 R =52mΩ@ V =-10V,I =-6A 场效应管 MOSFET ),采用高单元密度的 DMOS DS(ON) GS D R =67mΩ@ V =-4.5V,I =-4A DS(ON) GS D ...
产品类型 MOSFET 上升时间 29.3ns 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 127ns 典型接通延迟时间 39.7ns 单位重量 319.280mg 可售卖地 全国 型号 NTMTS0D7N06CTXG 一:各位朋友,由于电子产品品种多、流量大、季节性很强、再加上厂家断货等等原因,有些物品未能及时上架或更新缺货状态的...
特性: MOSFET驱动功能 材料: 半导体材料 工作温度: -40℃ to +125℃ 应用类型: 集成电路 供应商: 辉电子 其他集成电路: 是 描述: SGMICRO圣邦微SGM48001XS8G/TR是一款MOSFET驱动芯片 优势: 辉电子优势供应 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
产品种类 MOSFET 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 DFNW-8 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 464 A Rds On-漏源导通电阻 720 uOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 4 V Qg-栅极电荷 72 nC 最小工...