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不同Vge,Ic 时的 Vce(on) 标准 不同Vce 时的输入电容(Cies) 标准 输入 标准 NTC 热敏电阻 标准 电压- 击穿(V(BR)GSS) 标准 不同Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 标准 漏极电流(Id) - 最大值 标准 不同Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 标准 电阻- RDS(开) 标准 电压 标准 电压-输出 标准 ...
45ZXICY7C1041GE30-10ZSXITCY7C109D-10VXICY7C63813-SXCCY7C64215-28PVXCTCY7C64215-56LTXCCY7C64315-16LKXCCY7C64356-48LTXCTCY7C64713-56LTXCCY7C65211-24LTXICY7C65215-32LTXICY7C65219-40LQXICY7C65631-56LTXCCY7C65632-28LTXCTCY7C65632-48AXCTCY7C65634-28LTXCTCY7C65642-28LTXC...
型号: SIHG30N60E-GE3 封装: TO247AC 批号: 20+ 数量: 2000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 29 A Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms Vgs -...
行业属性 型号 LR067N08S4 种类 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 品牌 Long-teK 封装类型 TO-252 其他属性 安装类型 标准 描述 标准 原产地 China 封装/外壳 标准 类型 MOS晶体管 工作环境温度 -55 °C ~ 150 °C 系列 沟槽MOSFET D/C
Infineon(英飞凌) TO-252-3 ￥1.8000元1~-- 个 深圳市恒诚威科技有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 IRS2007STRPBF 半桥(2) 驱动器 电池供电 功率 MOSFET 8-SOIC IRS2007STRPBF 96851 -- 8-SOIC 2022 ￥1.0000元1~99 个
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摘要: MOSFETs with gate length down to 17 nm are reported. To suppress the short channel effect, a novel self-aligned double-gate MOSFET, FinFET, is proposed. By using boron-doped Si0.4Ge0.6 as a gate material, the desired threshold v......
TO-3PN-3 环保类别: 无铅环保型 安装方式: 直插式 包装方式: 盒带编带包装 功率特征: 大功率 询价 相关产品 SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET 新洁能 NCE55P04S -55V -4A 3W P沟道 双路增强型功率 MOS管 APM4953KC-TRG ANPEC专营 MOSFET CSD17577Q3A TI全线代理 ...
不同Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,30A 输入类型: 标准 25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/105ns 测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: