9971GD-VB是一款双N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术制造,封装形式为DIP8。这款MOSFET在60V的漏源电压(VDS)下运行,栅源电压(VGS)最大可达±20V。其具有低导通电阻特性,在VGS=4.5V时,RDS(ON)为45.6mΩ;在VGS=10V时,RDS(ON)为38mΩ,能够提供高效的电流传输和低损耗。其额定漏极电流(ID)为6A,适用于多种应...
9973GD-VB 是一款双 N 通道 MOSFET,采用 DIP8 封装。它具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和±20V 的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 在 1V 到 3V 范围内可调。这种 MOSFET 使用了先进的 Trench 技术,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS = 4.5V 时为 45.6mΩ,在 VGS = 10V 时为 38mΩ。最大漏极电流 (ID...
深圳市百盛新纪元半导体有限公司代理品牌:台湾天钰,台湾远翔,纳芯威等品牌。可提供代理证相关技术支持!主营产品:欢迎联系,感谢选择我们,期待您的咨询。PD快充IC:FP6603,FP6605,FP6608FKS4004低内阻NMOS管,可搭配PD快充IC使用QC3.0,PD快充18W方案电源IC,CRE6959VH-S2QC3.0快充识别IC,QC2.0快充识别IC, 手机智能充电...
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首先你要确认是否是MOSFET短路，去下mosfet，看看线路的GS和DS是否短路，如果PCB不短路说明MOSFET短路，这就可能是你的电流过大导致MOSFET短路，这有可能是你后端电路短路引起的，如果PCB都短路了,那就一定是后端电路引起的，你就要好好检查电路了 GD...
In the previous chapter, it was demonstrated that the specific on-resistance for power MOSFET structures can be greatly reduced by utilizing the two-dimensional charge-coupling concept. In these structures, a uniform doping concentration was assumed for the drift region. Although the electric field ...
在淘宝,您不仅能发现MS3N100HGD0 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:1kV 电流:3A TO-25的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于MS3N100HGD0 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:1kV 电流:3A TO-25的信息,请来
型号 VS6614GD 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也...
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4513GD-VB 是一款双通道(Dual-N+P-Channel)MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为DIP8。该产品具有优异的导通特性和高度集成的设计,适用于多种电源管理和开关应用场合。 ### 4513GD-VB MOSFET 详细参数说明 | 参数 | 值 | |---|---| | 封装 | DIP8 | | 配置 | Dual N+P-Channel ...