功率MOSFET的栅极可以看作是栅极和源极端子之间的非线性电容。 尽管栅极不传导直流电流，也需要电流来对...
用MOSFET做二极管也有两种接法：一种是GD短接做一极，BS短接做另一极（比较常见）；还有一种是D做一...
MOSFET开关过程 N型MOSFET等效电路模型中,C_{GS}称为GS寄生电容,C_{GD}称为GD寄生电容,输入电容C_{iss}=C_{GS}+C_{GD},输出电容C_{oss}=C_{GD}+C_{DS},反向传输电容C_{rss}=C_{GD},也叫米勒电容。三个电容均是由于工艺原因,在三极产生的寄生电容,并不是人为设计的[10]。 N型MOSFET等效电路...
这个很容易做到,但是,需要考虑导通速度。 在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时首先要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。其次需要注意的是,普遍...
这个很容易做到,但是,我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
Vgs = ZgsCgd(dv/dt) (dv/dt) = Vgs(th)/(ZgsCgd) 为了增加dv/dt的性能,应该使用一个低阻抗的栅极驱动电路,且Vgs(th)必须增大。但在一个低阻抗驱动电路中,成本较高且Vgs(th)的增大与Rds(on)的增大有关。当Vgs(th)具有负的温度系数,假导通的可能性随着温度上升而增大。但通常来说,栅极电压不会超过...
Ciss(输入电容)=gd+Cgs Coss(输出电容)=Cgd((Cgs*Cgd)/Cgd+Cgs)+Cds Crss(反向转移电容)=Cgd 图9.MOSFET寄生电容 1) Cgs(栅源电容) 这个电容主要取决于栅极氧化层的厚度,并且Cgs的不同也随VDS的不同而小于Cgd或Cds。 2) Cgd(栅漏电容) 这个电容取决于管芯尺寸,MOSFET结构以及随Vds成非线性变化。它就像...
GD充电电量 Tr 导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Td(off) 上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Tf 关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Ciss 输入电容,Ciss=Cgd + Cgs. ...
IGSS的测试方法是将漏极和源极两端短接并接地,在栅极分别施加正向电压和反向电压,并分别测量栅极的电流。 IGSS的测试条件主要是根据本器件栅氧(GOX)厚度和质量来决定的。栅氧的工艺条件决定栅氧的质量,在相同的栅氧质量下,不同的栅氧厚度会得到不同的栅极击穿电压BVGSS。通常BVGSS的值可以估算为栅氧厚度值的十分...
场效应场效应管放大电管放大电路路2 2、共漏放大电路、共漏放大电路.30基本放大电路基本放大电路3 3、共栅放大电路、共栅放大电路SGDrdsgmUgsSGD电压增益电压增益IdId=gmUgs+Uds/rdsUds=Uo-UiUo= -IdRDUgs= -UiId= -gmUi+(- IdRD -Ui)/rds)/rR(1)U1/r(gIdsDidsmdioUUUAiDdURI)/rR(1R)1/r(gdsDDdsm...