在超过 MOSFET 的击穿电压时，通常会发生雪崩，这通常是由于非钳位电感开关 (UIS) 造成的，其中器件的...
对于V_{GS}>V_{th},这说明晶体管处于开启状态,即在源漏之间有一个n型沟道。当V_{DS}=0时,增强型NMOS的情况应由图2.3(a)所示;当V_{DS}开始增大时,会导致V_{GD}=V_{GS}-V_{DS}开始逐渐减小,因此沟道的宽度也会变小,并随着V_{DS}的增大,逐渐表现出图2.3(b)(c)(d)所示的情况。 图2.3 增强...
i_{in}=j\omega (C_{GS}+C_{GD})v_{g}\simeq j(2\pi f)C_{o}v_{g} 其中, j=\sqrt{-1} 假设C_{GD} 较小, C_{GS}\simeq C_{o} ,可得输出电流为: i_{out}\simeq g_{m}v_{g} 令|i_{out}/i_{in}|=1 。对于夹断前,即线性区,可得 f_{max}=g_{m}/2\pi C_{o...
因为MOS管的GD间有较大的电容存在,因此来自负载的高频干扰可能通过Cgd在栅极产生感应电压,该电压可能导致MOS管的误导通,而负压截止在一定程度上避免此种情况的发生。 一般驱动电路设计 5.MOS管驱动电路参考 这里有一点不同了,就是那个R2和稳压管。 Q:R2啥作用? A:MOS管栅极输入阻抗高,在引脚悬空的状态下,很容易...
3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路. 4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短. 5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路. 6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的...
Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 180 A Rds On-漏源导通电阻 700 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 1 V Qg-栅极电荷 227 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 175 C Pd-功率耗散 250 W 配置 Single 通道模式 Enhancement 商标名 OptiMOS ...
Ear:重复雪崩击穿能量。 Eas:单次脉冲雪崩击穿能量。 BVdss:DS击穿电压。 Idss:饱和DS电流,μA级的电流。 Igss:GS驱动电流,nA级的电流。 gfs:跨导。 Qg:G总充电电量。 Qgs:GS充电电量。 Qgd:GD充电电量。 Td(on):导通延迟时间,从输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间。 Tr:上升时间,输出电压...
如果位移电流足够大使寄生晶体管开启，那么MOSFET的击穿电压将衰减至开基区晶体管的击穿电压。因此，该...
2.击穿电压 在许多功率MOSFET中,N+源极和P-体形成的结是通过金属物短路的,从而避免意外的导通寄生的三极管。当没有偏置加在栅极时,功率MOSFET通过反向偏置P-体和N-Epi形成的结,可以承受高的漏极电压。 在高压器件中,绝大部分电压由少掺杂的Epi层来承受:厚的少掺杂的Epi层承受更高的击穿耐压,但是增加了导通电...
3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路. 4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短. 5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路. 6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的...