深圳市亿创微芯电子有限公司历经13年的发展,为泉芯QX,禾芯微hx的一级授权总代理,同时与国内微盟ME,TOREX,TP拓微,PT华润矽微,fp远翔,XL芯龙,台湾极创等原厂有紧密的合作,致力于电源管理芯片的代理销售及方案解决,为国内的OEM、ODM、ESE厂商提供高性价比的电子元器件,包括电源管理IC、LED驱动IC、MOSFET、电池管理...
Our compact channel noise model of a SG MOSFET includes the physics based expressions for thermal noise. Using this model the SG MOSFET noise performances are studied.B. Maji, A. K. Mukhopadhyay
DIODES 的 ZXMS6004SG 是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧 MOSFET。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和 ESD 保护逻辑电平功能。ZXMS6004SG 非常适合作为在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。 产品规格 品牌DIODES型号ZXMS6004SG名称60V N 沟道自保护增强型智能 ...
MOSFET Driver Type:Half Bridge Driver Configuration:Darlington Pairs Maximum Supply Voltage (V):30 Peak Source Output (A):0.5 Documentation Documents Filter by Document Type Search Documentation Title Document Category DS Number SG2000 Datasheet Data Sheets Download MicroNote 050: Radiation ...
SG Micro Corp (SGMICRO) specializes in the development, manufacturing and promotion of high-performance and high-reliability integrated circuits for analog signal processing and power management, offering innovative solutions to a broad range of applicat
产品类型 MOSFET 上升时间 29.3ns 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 127ns 典型接通延迟时间 39.7ns 单位重量 319.280mg 可售卖地 全国 型号 NTMTS0D7N06CTXG 一:各位朋友,由于电子产品品种多、流量大、季节性很强、再加上厂家断货等等原因,有些物品未能及时上架或更新缺货状态的...
Number ConfigurationVDSSID*VthRDSONQgPackage TypePart Status [V][A][V][Ohm]@Vgs10V[Nc] Min.Max.Min.-Max.Max.Typ.Typ.TO-220TO-220FTO-251TO-252Specify SPTY2R10Dual-N20250.5~19.5660*Mass PTY2R20ADual-N2070.5~118--12*Mass PTZ2R20A6Dual-N2070.5~118--12*Mass ...
产品种类 MOSFET 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 DFNW-8 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 464 A Rds On-漏源导通电阻 720 uOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 4 V Qg-栅极电荷 72 nC 最小工...
多年来,SGS公司开发了一系列开关电源双端输出驱动集成电路,其中常见的SG1524,SG2524、SG3524被各种大功率开关电源、DC/DC变换器、以至各种UPS电源所广泛采用。SG3524系列属双端集电极、发射极开路输出,适合驱动双极性开关管。而SG3525A、SG3527A、SG3526N则为对称输出,具有灌电流通路,用以驱动MOSFET管。
MEM2311SG 系列系列 双双沟道沟道 系列系列 描述描述:: 特点特点:: 描述描述:: 特点特点:: MEM2311SG 系列系列 双 P 沟道增强型功率 -30V/-6A 系列系列 R =52mΩ@ V =-10V,I =-6A 场效应管 MOSFET ),采用高单元密度的 DMOS DS(ON) GS D R =67mΩ@ V =-4.5V,I =-4A DS(ON) GS D ...