一、MOSFET基本概念 MOSFET的符号作为开关工作,栅电压VG为高电平源S和漏D导通,栅电压VG为低电平,源S和漏D断开。 N型MOSFET的物理结构器件制作在P衬底(bulk或body)上,重掺杂的n+区形成源和漏,重掺杂的(导电)多晶硅区(简称poly)是栅(G)。一层薄的SiO2(栅氧)让栅与衬底隔离开来。器件的有效作用发生在栅氧下的衬底
继前面跟大家分享的Si晶体管的分类与特征、基本特性之后,本篇就作为功率开关被广为应用的Si-MOSFET的特性作补充说明。 一、 MOSFET的寄生电容 MOSFET在结构上存在下图所示的寄生电容。下图为N-ch MOSFET的例子,与P-ch的思路相同。这里谈的处理大功率的功率MOSFET,需要理解为限制使用频率和开关速度的参数。 MOSFET的...
高耐压：Si-MOSFET具有高额定电压，能够在高压环境下稳定工作。低导通电阻：Si-MOSFET的导通电阻远小于传统平面MOSFET，能够提供更高的效率和功率密度。高速开关：Si-MOSFET的超级结结构使其具有快速开关特性，适用于高频率应用。可靠性：Si-MOSFET的产品质量可靠，性能稳定，适用于各种严苛的工作环境。【VBsemi Si-MOSFET...
As a power switch, the Si MOSFET selected should have extremely low on-resistance, low input capacitance (i.e. Miller capacitance) and extremely high gate breakdown voltage, which is even high enough to handle any peak voltage generated by the inductor. In addition, the parasitic inductance bet...
目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势,现将1kV以上的产品与当前主流的Si-IGBT来比较一下看看。相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET(超级结MOSFET),导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复...
一、SiC-MOSFET 与 Si-MOSFET 的区别 与其详细研究 SiC-MOSFET 每个参数,我们可以先弄清楚驱动方法等与 Si-MOSFET 有怎样的区别。这里主要介绍 SiC-MOSFET 的驱动与 Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。 1.驱动电压 SiC-MOSFET 与 Si-MOSFET 相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源...
最新推出的Si-MOSFET(超结MOSFET)是一款具有优异性能和广泛应用领域的新产品。Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时,漂移层会变厚,导致导通电阻增加的问题。而超结MOSFET通过在D端和S端排列多个垂直pn结的结构来解决这个问题,实现了在保持高电压的同时降低导通电阻。
MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间(trr)。trr是二极管开关特性相关的重要参数这一点在SiC肖特基势垒二极管一文中也已说明过。不言而喻,MOSFET的体二极管是具有pn结的二极管,因而存在反向恢复现象,其特性表现为反向恢复时间(trr)。下面是1000V耐压的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比较。
Si-MOSFET、Si-IGBT、GaN-MOSFET、SiC-MOSFET的电压、频率、功率之间的比较如下图所示: GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基 SiC MOSFET 主打高压领域;GaN MOSFET 主打高频领域。 根据功率、频率2个维度我们梳理主流功率器件物理特性及适用场合: Si-IGBT虽然在高压领域具有优势,但是并不能胜任高频领域需求;...
抗辐射分立功率器件:第 1 部分 — Si MOSFET [导读]用于 5G、物联网和其他各种用途的商业天基通信出现了巨大的增长,Starlink 和 OneWeb 等星座的推出就是明证。这补充了军事和科学卫星的使用,后者也出现了大幅增长。这些应用所需的半导体功率器件,例如卫星总线电压到终端应用的DC/DC 转换,与地面商业或汽车对应...