超结MOSFET(Super Junction MOSFET,SJ-MOS)是一种通过电荷补偿技术突破传统硅基功率器件“硅极限”的高压功率器件。其核心设计在于漂移区(Drift Region)的特殊结构,通过交替排列的P型和N型半导体柱实现电场优化,从而实现低导通电阻(Rds(on))与高击穿电压(BV)的平衡。 超结结构的电荷补偿机制 纵向交替P/N柱: ...
高压超结SJ MOSFET是一种采用特殊结构设计的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其核心在于其独特的“超级结”结构。这种结构通过在D端(漏极)和S端(源极)之间排列多个垂直的PN结,实现了在保持高电压的同时,显著降低导通电阻的目标。这种设计打破了传统VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体)器件中导通电阻(RDS(ON))...
超结MOSFET在高温条件下的导通电阻会上升更多,这对散热提出了更高要求,并可能导致效率下降。 寄生电容影响: 超结MOSFET有较大的寄生电容,尤其是输入电容,这对高频开关性能有负面影响,并增加了驱动电路的复杂性。 高频高效与低损耗 SiC MOSFET(比如BASiC基本股份)的开关频率可达MHz级别,远超SJ MOSFET的kHz级水平,开关...
一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能优势显著 高频高效:SiC MOSFET的开关频率(如B3M040065H的开关时间低至14ns)远超SJ 超结MOSFET,可减少电源系统中的磁性元件体积,提升功率密度(如数据手册中提到的“开关能量降低至160μJ”)。 高温可靠性:SiC器件在175°C高温下仍能保持稳定性能(如导通电阻仅从40mΩ...
由于超结结构接近突变结,其动态特性相对较差。这可能导致在应用过程中,特别是在需要快速响应和精确控制的场景中,高压超结SJ MOSFET的表现不如其他类型的MOSFET。 5. 抗浪涌能力较低 高压超结SJ MOSFET的抗浪涌能力相对较低,这在使用过程中需要特别注意。特别是在户外产品或对浪涌保护要求...
采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺 ，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势 低内阻:...
超结(SJ) MOSFET作为一种高性能的半导体器件,在大功率电子照明领域应用广泛,尤其是在LED、荧光灯、高压钠灯等领域,超结(SJ)MOSFET已经成为重要的解决方案。 安森德半导体自主研发的先进多层外延高压超结(SJ)MOSFET,具有电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好等特点,可广泛应用于各种LED驱动电源、电动工具驱动...
【超级结中,trr比平面MOSFET快,irr电流更大】 超结MOSFET相较于平面MOSFET具有更大的pn结面积,因此在内部二极管的反向电流和反向恢复时间方面存在一些问题。虽然超结MOSFET的trr比平面MOSFET快,但irr电流更大。以下是Si-MOSFET的常规制造工艺和超结制造工艺的对比: ...
超结MOSFET是目前主流中低压OBC、DC-DC电源方案考虑性能、成本与效率的最佳选择。 它是汽车电动化后新增的重要器件类型,主要应用在DC-DC电源和OBC中。一般在新能源汽车中,车载充电器部分SJ MOSFET 可以用到16个以上。 VBsemi推出新系列SJ MOSFET 微碧半导体推出的SJ MOSFET,多层外延超结的MOSFET系列产品,通过优化器件...
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS) “ (1)SJ-MOS在N层具有柱状P层(P柱层)。P层和N层交替排列。(参见图3-9(b)) (2)通过施加VDS,耗尽层在N层中扩展,但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。(关于电场强度,参见图3-9(a)/(b)。电场强度将表示耗尽层的状态。