不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 4 毫欧 @ 25A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2.2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 19.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss) : 1272pF @ 15V 功率-最大值 : 64W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装 : LF...
制造商型号: PSMN4R0-30YLDX 制造商: Nexperia 封装/规格: SOT-669,LFPAK,Power-SO8) 商品描述: N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=95A P=64W PDF资料: PSMN4R0-30YLDX.pdf 交货地:国内 (含增税) 货期(工作日):2小时发货 库存: 现货3590(1起订) (国内:2小时发货) 数量: x0(单价)非最新...
PSMN4R0-30YLDX N-沟道 30 V 4 mOhm 95 A 表面贴装 逻辑电平 MOSFET - LFPAK-56 PSMN4R0-30YLDX 数据手册 ECAD模型: 制造商: Nexperia 标准包装: Product Variant Information section 1500/卷盘 Date Code: Product Specification Section Nexperia PSMN4R0-30YLDX - 产品规格 发货信息: 该产...
摘要:PSMN4R0-30YLDX现货 Nexperia USA Inc.代理商 一站式电子元器件采购商城,晶体管 - FET,MOSFET - 单个的PSMN4R0-30YLDX中文资料、PDF数据手册、引脚图、封装规格、价格行情和库存等信息,Nexperia USA Inc.的PSMN4R0-30YLDX货源充足,采购PSMN4R0-30YLDX上盛芯商城