型号 PSMN1R4-30YLDX 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...
型号: PSMN1R4-30YLD 封装: SOT669 批次: 21+ 数量: 26680 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 2.2mm 宽度: 5.1mm 高度: 1.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
PSMN1R4-30YLDX 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 4 漏源极电阻 0.00111 Ω 耗散功率 166 W 阈值电压 1.7 V 输入电容 3840 pF 漏源极电压(Vds) 30 V 上升时间 28 ns 输入电容(Ciss) 3840pF @15V(Vds) 额定功率(Max) ...
数据列表 PSMN1R4-30YLD; 标准包装 1,500 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 其它名称 1727-1861-2 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 1mA Vgs(最大...
型号 PSMN1R4-30YLDX PDF资料 电子管-场效应管-PSMN1R4-30YLDX-Nexperia-SOT669-20+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上...
立创商城提供Nexperia(安世)的场效应管(MOSFET)PSMN1R4-30YLDX中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购PSMN1R4-30YLDX上立创商城
PSMN1R4-30YLDX严选现货 5千厂商: NXP 封装/批号: SOT669/1432+ 库存: 50 说明: 一定原装房间现货 描述: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 包装: 1500/标准卷带 漏源电压(Vdss):30V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)...