型号 PSMN1R4-40YLDX 系列 ALBSTO 包装 卷 零件状态 在售 安装类型 用户自定义 板间高度 NC 长度-总体 NCC 支撑孔直径 1 支撑面板厚度 3 安装孔直径 2 材料 SOT-669 封装 SOT-669 批号 最新 数量 90000 品牌 安世 保持类型 PSMN1R4-40YLDX 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具...
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最小工作温度 -40c 最大工作温度 +85c 调光 Dimming 长度 6.4mm 宽度 7.5mm 高度 2.4mm 数量 96850 封装 N/A 批号 23+ ?? 99999 可售卖地 全国 型号 PSMN1R4-40YLD 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所...
PSMN1R4-40YLDX Nexperia 功率MOSFET 参数信息 制造商 Nexperia 制造商编号 PSMN1R4-40YLDX 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 SOT669 FET类型 N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs 1.85mΩ@4.5V,1.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max) 238W 工作温度 175℃ 栅极电压Vgs 1.7V 漏源极电压Vds 40V 输入电容 6661pF 输出...
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PSMN1R4-40YLD - 240 Amp, logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in 175 °C LFPAK56 package using advanced TrenchMOS Superjunction technology. This product has been designed and qualified for high performance power switching applications
立创商城提供Nexperia(安世)的场效应管(MOSFET)PSMN1R4-40YLD,115-NEX中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购PSMN1R4-40YLD,115-NEX上立创商城
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00112 ohm, 10 V, 1.7 V查看详情 SOT-669 7周 在产 2015年 ¥10.409 数据手册(8) 器件3D模型 规格参数 PSMN1R4-40YLDX 全球供应商 全球供应商 (6家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎...
MOSFETsNexperiaPSMN1R4-40YLDX 数据: 配置: 单路 栅极电荷(Qg) : 143nC 阈值电压 : 2.2V@1mA 晶体管类型 : N沟道 功率耗散 : 238W 充电电量 : 143nC 反向传输电容Crss : 299pF 栅极源极击穿电压 : ±20V 击穿电压 : 40V 极性: N-沟道 存储温度 : -55℃~+175℃ 引脚数 : 5Pin 高度: ...
PSMN1R4-40YLDX 由Nexperia 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyelement14future 等渠道进行代购。 PSMN1R4-40YLDX 价格参考￥ 6.03197 。 Nexperia PSMN1R4-40YLDX 封装/规格: SOT669, MOS管 N-channel Id=240A VDS=40V SOT669。你可以下载 PSMN1R4-40YLDX 中文资料、引脚图、Datasheet...