型号: PSMN1R4-40YLDX 封装: SOT-669 批号: 22+ 数量: 5800 制造商: Nexperia 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: LFPAK56-5 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.4 mOhms Vgs - 栅...
PSMN1R4-40YLDX Nexperia 功率MOSFET 参数信息 制造商 Nexperia 制造商编号 PSMN1R4-40YLDX 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 SOT669 FET类型 N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs 1.85mΩ@4.5V,1.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max) 238W 工作温度 175℃ 栅极电压Vgs 1.7V 漏源极电压Vds 40V 输入电容 6661pF 输出...
库存: 0 (1起订) 批次: - 数量: X6.03197(单价)「卷装(TR)/1500」 总价: ￥ 6.03197 加入购物车立即订货 品牌:Nexperia(安世) 型号: PSMN1R4-40YLDX 商品编号: DS0083463 封装规格: SOT669 商品描述: MOS管 N-channel Id=240A VDS=40V SOT669 数据手册 ...
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00112 ohm, 10 V, 1.7 V查看详情 SOT-669 7周 在产 2015年 ¥10.391 数据手册(8) 器件3D模型 规格参数 反馈错误 by FindIC.com 价格库存 规格参数 数据手册 PSMN1R4-40YLDX 全球供应商 全球供应商 ...
PSMN1R4-40YLDX由Nexperia设计生产。PSMN1R4-40YLDX封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/143nC:阈值电压/2.2V@1mA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/238W:充电电量/143nC:反向传输电容Crss/299pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/40V:极性/N-沟道:存储温度/-55℃~+175℃:引脚数/5Pin:高度/1.20mm:长x宽/尺...
在淘宝,您不仅能发现PSMN1R4-40YLDX SOT669宗信昌数码零部件的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于PSMN1R4-40YLDX SOT669宗信昌数码零部件的信息,请来淘宝深入了解吧!
高性能MOSFET晶体管: Jeking 1D440L 40v 240A n沟道逻辑电平MOSFET晶体管PSMN1R4-40YLDX是专为电子应用而设计的高性能晶体管,可提供出色的开关速度和可靠性。 高额定电流: 额定电流为100A (TC),最大漏极电流为240A,该晶体管适用于大功率应用,使其成为需要高电流处理能力的用户的理想选择,例如您正在寻找高...
Part Number:PSMN1R4-40YLDX;Product Status:Active;Package:Tape & Reel (TR);FET Type:N-Channel;Technology:MOSFET (Metal Oxide);Vgs (Max):±20V;Power Dissipation (Max):238W (Tc);Operating Temperature:-55°C ~ 175°C (TJ);Mounting Type:Surface Mount;Package
创唯电子提供 PSMN1R4-40YLDX ,有PSMN1R4-40YLDX 报价,图片,参数,数据手册等,采购PSMN1R4-40YLDX 就上创唯电子!PSMN1R4-40YLDX
Psmn1r4-40yldx 种类 RF晶体管 品牌 JXD 封装类型 表面贴片封装 其他属性 安装类型 / 描述 1D440L 原产地 Germany 封装/外壳 SC-100,SOT-669,SOT-669 系列 1D440L D/C 22 + 应用 电子 供应类型 原始制造商, ODM, 代理机构, 零售商 可参考资料 ...