PSMN3R0-30YLDX 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 8 漏源极电阻 0.0026 Ω 耗散功率 91 W 阈值电压 1.7 V 输入电容 1959 pF 漏源极电压(Vds) 30 V 上升时间 21 ns 输入电容(Ciss) 2939pF @15V(Vds) 额定功率(Max)
制造商编号PSMN3R0-30YLDX 商品别名PSMN3R0-30YLD 制造商Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号G-PSMN3R0-30YLDX 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 PSMN3R0-30YLD.pdf ...
PSMN3R0-30YLD - Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package. NextPowerS3 portfolio utilising Nexperia's unique “SchottkyPlus” technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs w
NXP PSMN3R0-30YLD MOSFET datasheet http://www.manuallib.com/nxp/psmn3r0-30yld-mosfet-datasheet.html Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package. NextPowerS3 portfolio utilising NXP’s unique “SchottkyPlus” technology delivers...
发货地 江苏南京 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 PSMN3R0-30YLDX、 Nexperia/安世 商品图片 商品参数 品牌: Nexperia/安世 数量: 30000 制造商: Nexperia 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-669-5 晶体管极性: N-Channel 通道...
商品关键词 PSMN3R0-30YLDX、 NEXPERIA、 SOT669 商品图片 商品参数 品牌: NEXPERIA 封装: SOT669 数量: 20199 制造商: Nexperia 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-669-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续...
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零件号 PSMN3R0-30YLDX 类别 分立半导体产品 标题 莫斯费特 N-CH 30V 100A LFPAK56 描述 恩智浦提供其30V NextPowerS3 MOSFET,提供高性能和独特的"肖特基加"技术。它是第一个MOSFET提供高频,低尖峰性能,通常与MOSFET与集成的肖特基或肖特基一样二极管,并无任何问题 公司 NXP Semiconductors 数据表 下载PSMN3R0...
制造商编号 PSMN3R0-30YLD/2X 商品别名 PSMN3R0-30YLD 制造商 Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号 A-PSMN3R0-30YLD/2X 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 PSMN3R0-30YLD/SOT669/LFPAK分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些...