26 p. ELECTRODE ASSEMBLY MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND SECONDARY BATTERY 21 p. ELECTRODE SECONDARY BATTERY COMPRISING ELECTRODE AND METHOD FOR PREPARING ELECTRODE 22 p. ELECTROCONDUCTIVE FILM METHOD FO 24 p. ELECTRICALLY CONTROLLED VEHICLE 37 p. ELECTRICALLY ACTUATED VALVES 19 p. ELECTRICAL...
为了解决半导体产品膜厚度不均匀的问题,研究者们提出了一种采用立式炉管的半导体热处理方法。这种方法包括在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片,挡片位于晶圆的上方和下方,同时在晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。 通过这种方法...
TEOS射频辉光放电分解淀积P-Si02和P.SiON薄膜 的研究 摘要 本文是利用等离子体化学气相淀积法(Plasma EnhancedChemicalVaDor Deposition,PECVD),在低温低压下,使用有机物TEOS(正硅酸四乙脂, Tetraethylorthosilicate,Si(C2HsO)4)为反应源在硅片表面上生长p-Si02介质膜以及 F-SiON钝化膜,利用制程参数(RF功率、基板温度...
APTEOS杂化膜的渗透蒸发性能周国波,刘庆林,张秋根(厦门大学化学化工学院,福建厦门361005)Ξ摘要:采用溶胶2凝胶(sol2gel)法由聚乙烯醇(PVA)与正硅酸乙酯(TEOS)制备杂化膜。当TEOS质量分数大于15%时,杂化溶胶液开始浑浊,呈现出一定的相分离。退火温度升高,杂化膜的溶胀度和渗透通量下降,分离因子提高。料液温度升高,膜...
CaO-SiO2-PAA复合膜材料 CO-NH-SiO2钛基多孔薄膜 DMDES-SiO2二甲基二乙氧基硅烷多孔改性薄膜 EP-SiO2复合薄膜 Eu-Al-sio2纳米多孔发光薄膜 Fe-SiO2固体酸催化剂 Ge-SiO2锗掺杂的微孔薄膜 HMDS-SiO2六甲基二硅氮烷多孔改性薄膜 LiCl/SiO2多孔薄膜 LPCvD-TEOS-SiO2薄膜 ...
PECVD法沉积类金刚石膜的研究毕业论文 星级: 8页 CVD法采用TEOS-O,3沉积二氧化硅膜(可编辑) 星级: 45 页 cvd化学沉积法 星级: 4页 cvd法采用teos-o-,3-沉积二氧化硅膜 星级: 47 页 采用热丝CVD法在多种基材上沉积金刚石薄膜 星级: 3页 CVD...
CVD法采用TEOS-O<,3>沉积二氧化硅膜 姓名:李娟 申请学位级别:硕士 专业:光学 指导教师:李志强 20040601 摘要 摘要 本文采用常压化学气相沉积法 以 与 为前驱物 于低温下在单晶硅 片表面上沉积了二氧化硅膜层 通过分析不同温度 不同硅酸乙酯流量 不同
光催化亲水性ZN/TiO2-SiO2/TEOS-SiO2/Si-SiO2薄膜 硅基多孔纳米β-SiC薄膜 光催化超亲水性TiO2-SiO2薄膜 纳米多孔材料-聚硅氧烷复合膜 SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜 Zn—SiO2/TiO2多孔复合薄膜 TEOS-SiO2薄层 Zn-SiO2/TiO2锌掺杂多孔复合薄膜 Eu-Al-sio2纳米多孔发光薄膜 MoO3/SiO2催化剂 TMCS-SiO2三甲基氯硅烷修...
摘要I摘 要 本文采用常压化学气相沉积法以TEOS与O3为前驱物于低温下在单晶硅片表面上沉积了二氧化硅膜层通过分析不同温度不同硅酸乙酯流量不同O3与TEOS的比率研究了包膜的试验条件对成膜质量的影响,并找到了较好的成膜条件并对膜层的致密性能进行了检
河北大学硕士学位论文CVD法采用TEOS-O<3>沉积二氧化硅膜姓名:李娟申请学位级别:硕士专业:光学指导教师:李志强0040601