26 p. ELECTRODE ASSEMBLY MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND SECONDARY BATTERY 21 p. ELECTRODE SECONDARY BATTERY COMPRISING ELECTRODE AND METHOD FOR PREPARING ELECTRODE 22 p. ELECTROCONDUCTIVE FILM METHOD FO 24 p. ELECTRICALLY CONTROLLED VEHICLE 37 p. ELECTRICALLY ACTUATED VALVES 19 p. ELECTRICA...
TEOS射频辉光放电分解淀积P-Si02和P.SiON薄膜 的研究 摘要 本文是利用等离子体化学气相淀积法(Plasma EnhancedChemicalVaDor Deposition,PECVD),在低温低压下,使用有机物TEOS(正硅酸四乙脂, Tetraethylorthosilicate,Si(C2HsO)4)为反应源在硅片表面上生长p-Si02介质膜以及 ...
为了解决半导体产品膜厚度不均匀的问题,研究者们提出了一种采用立式炉管的半导体热处理方法。这种方法包括在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片,挡片位于晶圆的上方和下方,同时在晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。 通过这种方法...
PECVD法沉积类金刚石膜的研究毕业论文 星级: 8 页 CVD法采用TEOS-O,3沉积二氧化硅膜(可编辑) 星级: 45 页 cvd化学沉积法 星级: 4 页 cvd法采用teos-o-,3-沉积二氧化硅膜 星级: 47 页 采用热丝CVD法在多种基材上沉积金刚石薄膜 星级: 3 页 CVD...
CVD法采用TEOS-O<,3>沉积二氧化硅膜 姓名:李娟 申请学位级别:硕士 专业:光学 指导教师:李志强 20040601 摘要 摘要 本文采用常压化学气相沉积法 以 与 为前驱物 于低温下在单晶硅 片表面上沉积了二氧化硅膜层 通过分析不同温度 不同硅酸乙酯流量 不同
上沉积了二氧化硅膜层于低温下在单晶硅不同硅酸乙酯流量膜条件性能较好 关键词 CVD研究了包膜的试验条件对成膜质量的影响,并找到了较好的成结果显示:在反应室温度为大约400优选的O2与TEOS比率至少应大于4时,沉积的膜层沉积IAbstract AbstractSiO2wasdepositedonthesubstrateutilizingtetraethoxysilane(TEOS)andO3asprecursors...
摘要I摘 要 本文采用常压化学气相沉积法以TEOS与O3为前驱物于低温下在单晶硅片表面上沉积了二氧化硅膜层通过分析不同温度不同硅酸乙酯流量不同O3与TEOS的比率研究了包膜的试验条件对成膜质量的影响,并找到了较好的成膜条件并对膜层的致密性能进行了检