TEOS在CVD中的应用 TEOS是一种常见的化学气相沉积过程中的硅源,一般用来生成SiO2薄膜,这种薄膜可以作为介质层、隔离层、保护层等。 TEOS通过LPCVD或PECVD过程生成二氧化硅的机理: 在LPCVD过程中,TEOS和氧气在一定的温度和压力下在衬底表面发生反应,生成二氧化硅和乙醇。化学反应方程式为: Si(OC2H5)4 + 2O2 → SiO2 ...
一种最小化在半导体衬底等离子体处理装置中的半导体衬底上进行的沟槽填充工艺期间沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应的方法,该方法包括将半导体衬底支撑在半导体衬底等离子体处理装置的真空室中的基座上。使包括TEOS、氧化剂和氩气的工艺气体流动通过喷头组件的面板进入真空室的处理区域中。RF能量将所述工艺气体激励成等离子体,...
关键词:阻变随机存储器;氧化硅;热丝化学气相沉积;正硅酸乙酯;缺陷态TEOS的HWCVD法低温沉积氧化硅薄膜及其RRAM特性的研究-II-DepositionofoxidationsiliconfilmsbyHWCVDfromTEOSatlowtemperatureandinvestigationonpropertiesofRRAMbasedonAg/SiOX/p-SistructureAbstractTherapiddevelopmentofinformationtechnologyinthe21stcenturymakesthe...
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请问大侠，哪里有实验条件可以做基于液体硅源TEOS（硅烷不用联系）的CVD？工艺方式为PECVD、SACVD、APCVD...
一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法,清洗硅片表面,将硅片放入反应室;采用He作携带气体,用鼓泡法将TEOS和H主权项: 权利要求书\r\r\r\r\n1.一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法,包括步骤:\r\r\r\r\n(1)清洗硅片表面,将硅片放入反应室;\r\r\r\r\n(2)通过水浴加热装置,使TEOS恒温在30℃-50...
一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法,清洗硅片表面,将硅片放入反应室;采用He作携带气体,用鼓泡法将TEOS和H2O携带进入反应室;通过水浴加热装置,使TEOS恒温在30℃-50℃,H2O恒温在20℃-30℃;对氧化硅进行高温退火,高温退火的温度为800℃-1200℃,退火时间为0.5-2小时。采用TEOS源CVD技术生长SiO2,其膜厚度均匀(...
【摘要】开展了使用 TEOS和 H2 O混合物进行 PECVD生长 Si O2 膜的研究工作 .氧化硅折射率分布在 1.45 3±0 .0 0 1的范围 ,且随偏离中心距离基本不变 .薄膜厚度是中央大 ,边沿薄 ,其厚度相对变化不超过± 1.5 % (5 1mm衬底 ) .利用 TEOS源 PECVD,并结合退火技术 ,摸索出厚膜氧化硅生长工艺 ,已成功...
招标项目名称:氮化硅生长机、低压退火设备、硼磷氧化扩散炉、光阻固化低温退火炉、低压成膜氧化炉(TEOS)、非掺杂多晶硅生长机 项目实施地点:中国浙江省 招标产品列表(主要设备): 3、投标人资格要求 投标人应具备的资格或业绩:1)具有独立的法人资格,相应的经营范围。投标方应具有正规注册的办事处、维修站及零备件保税...
喷头可在沉积工艺期间维持在第一温度。方法可进一步包括当第一电压增大至第二电压时,将半导体基板重新定位至距喷头第二距离处。第二距离可大于第一距离。第二距离可比第一距离大超过25%。沉积工艺可包括使用正硅酸四乙酯来沉积氧化硅。 3、本发明技术的一些实施例可涵盖沉积方法。所述方法可包括在半导体处理腔室的...