通常情况下，以TEOS作为沉积源沉积二氧化硅薄膜的PECVD技术，一般认为TBOS会发生分解反应。TEOS在等离子体中被分解，产生固态的二氧化硅沉积到衬底上，而其它的分解产物均为气态随反应尾气排走。在光谱图中检测到的Si和C-H的特征峰则表明TEOS在该等离子体中确实发生了分解反应，生成了硅的化合物和一些碳氢化合物。这也...
常压CVD膜 形成技术。 吉村 正树 一、 前言料 -7_ .c1] 随着器件的高集成化,绝缘膜平坦化便成了更为重要的课题。因此,人们正广泛讨论替 代原 来SiH。-O。常压CYD法的TEOS-O a常压CYD法。其 主要原 因是TEOS—O。常压 CVD膜 具有极其 良好 的台阶覆盖性。尽管如此,TEOS-Oa常压CYD膜在特性上尚有 诸多...
(PVDF)成膜过程的影响.实验发现,随着铸膜液中TEOS添加量的增加,铸膜液的黏度持续降低;三元相图显示更少的凝胶剂就能达到铸膜液的分相点,两者的综合作用使得PVDF膜的凝胶速率加快.TEOS对成膜过程的影响使得膜结构有一定的改变:铸膜液不含添加剂时形成的是海绵状致密膜,随着TEOS含量的增加孔的数量增多,孔径变大;...
我是用PVA和TEOS成膜，如是不加HCl，成的膜不会变黑，膜也是透明的。但是加入HCl当催化剂后，成膜...
瑞禧合成定制TEOS-SiO2薄层、Si-SiO2硅基薄膜、SiO2修饰ZnO纳米多孔薄膜 SiO2薄膜在光学方面的应用: 硅基SiO2光波导无源和有源器件不仅具有好的传导特性,还将具备光放大、发光和电光调制等基本功能,在光学集成和光电集成器件方面很有应用前景,可作为波导膜、减反膜和增透膜。随着光通信及集成光学研究的飞速发展,玻璃...
一,TEOS/O3常压CVD技术利用TEOS[tetraethylorthosilicate(四乙氧基硅烷)]与O3在常压下化学反应的低温SiO2膜形成技术,它在具有优越的台阶覆盖,低颗粒度,自平坦化特性等... 池田浩一,长风 - 《微电子技术》 被引量: 0发表: 1994年 TEOS-O_3系常压CVD技术 一,前言目前,LSI随着器件结构的微细化,运用多层布线技术...
TEOS—O3常压CVD膜形成技术 吉村正树;黎铭 【期刊名称】《微电子技术》 【年(卷),期】1994(022)004 【总页数】6页(P23-28) 【作者】吉村正树;黎铭 【作者单位】不详;不详 【正文语种】中文 【中图分类】TN405.97 【相关文献】 1.TEOS等离子CVD膜形成中加氟气体的效果 [J], 水野晋介;松川 2.TEOS减压...
招标项目名称:氮化硅生长机、低压退火设备、硼磷氧化扩散炉、光阻固化低温退火炉、低压成膜氧化炉(TEOS)、非掺杂多晶硅生长机 项目实施地点:中国浙江省 招标产品列表(主要设备): 3、投标人资格要求 投标人应具备的资格或业绩:1)具有独立的法人资格,相应的经营范围。投标方应具有正规注册的办事处、维修站及零备件保税...
TEOS-O_3常压CVD膜形成中的GeO_2添加效果 一,TEOS/O3常压CVD技术利用TEOS[tetraethylorthosilicate(四乙氧基硅烷)]与O3在常压下化学反应的低温SiO2膜形成技术,它在具有优越的台阶覆盖,低颗粒度,自平坦化特性等... 前田和夫,益国 - 《微电子技术》 被引量: 0发表: 1994年 Chemically modified ceramic membranes...
TEOS-O_3常压CVD膜形成中的醇类添加效果 摘要: 池田浩一,长风 - 《微电子技术》 被引量: 0发表: 1994年 TEOS LPCVD工艺在硅片封闭技术中的应用 双极,CMOS,BiCMOS DRAM等大规模集成电路多数产品工艺使用硅外延片.硅抛光片衬底中的杂质在外延高温时会向正在生长的外延层中"掺杂"或扩散,造成位错形成和微缺陷增值...