当然,在本技术实施例中,仅在第二层teos薄膜沉积过程中采用低频射频电源进行电离(第一层不使用低频电源),即便第一层teos薄膜的厚度、第二层teos薄膜沉积时采用的低频电源功率均对脱膜率和绝缘性产生波动影响,但最终呈现的总和效果仍显著地优于采用单层成膜方式形成的teos膜。也即是说,本技术实施例提供的teos膜的制作...
通过这种成膜方法,即使是复杂的物体也能以nm级别的厚度均匀涂敷在其表面 柔软性 具有特有的柔软性,即使成膜后也可以对其进行再加工 抗污性 通过对金属表面钝化处理,抑制染色剂对金属的污染 耐热性 最高可以耐受300℃ 防水性 提高金属表面的防水性 防黏性 胶带、薄膜及树脂等材料难以附着在其表面 防锈性 抑制盐水...
我们发现二氧化硅的生长速率确实随着输入功率的增加而增大。它们具有极好的相似性,因此在实际生产中我们可以通过光谱中Si以及C-H的特征峰的强度变化来判断薄膜生长速率的变化,并由此来改变沉积薄膜时的工艺参数,以便得到我们所需要的薄膜沉积速率,提高成膜质量。
1.一种TEOS膜的制作方法,其特征在于,包括:采用化学气相沉积法在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜,在所述第一层TEOS薄膜的沉积过程中不使用低频射频电源进行电离,所述第一层TEOS薄膜的厚度为20～400nm;采用化学气相沉积法在所述第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜,在所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中使用低频射频电源进...
溶胶镀制的膜层不透明, 用第4 组溶胶镀制的膜 层容易发生裂纹, 可见, 试样具有不同的成膜性和 尺寸稳定性。 图1 为块状凝胶样品的SEM 照片, 可见材料 均匀。 图1 块状凝胶样品SEM照片 4 .3 材料的电导率 图2 为所测量的第5 组块体材料的AC 阻抗 图谱, 横轴和纵轴分别为Z1(Ψ)和Z2(Ψ), 曲线为...
以聚乙烯醇(PVA)与聚乙二醇(PEG)共混,并与正硅酸乙酯(TEOS)进行交联反应制备杂化膜.FTIR证实杂化溶胶液发生交联反应形成共价键Si—O—C,WXRD观察表明加入TEOS改变了膜结晶度,加入PEG提高了PVA膜对乙醇/水溶液的渗透通量,但分离因子下降,随着TEOS的加入,膜的分离因子提高.在TEOS质量分...
该方法包括:(1)将按照质量份数,将4～6份TEOS、10～30份乙醇和2～5份醋酸铵在碱性条件下水解;(2)向有机硅液中加入稀土金属盐;(3)将镁制品置入所述稀土?有机硅溶液中浸渍2～6min;(3)将经有机硅液浸渍过的镁制品在90～115℃下烘烤35～60min。本发明将表面浸过由TEOS通过水解反应得到含有端硅羟基的线性...
CVD法采用TEOS-O-,3-沉积二氧化硅膜
目的 为了提高钢材表面的耐腐蚀性能.方法 采用含正硅酸乙酯(TEOS)的硅烷液,在40Cr合金钢表面制备TEOS改进硅烷保护膜,并采用正交试验法优选出了最佳TEOS改进硅烷液的工艺参数.采用扫描电子显微镜(SEM),中性盐雾实验失重法,电化学阻抗法和极化法对其成膜性能和耐腐蚀性进行测试.结果 TEOS改进硅烷膜的耐硫酸铜腐蚀时间相对...
TEOS,全称为四乙氧基硅酸酯,是一种有机硅化合物,具有优良的成膜性能、耐热性和耐腐蚀性,广泛应用于涂料、胶粘剂、密封剂等行业。在实际应用中,TEOS 的浓度和分子量对于产品性能有着重要影响,因此准确测量和计算它们至关重要。 2.TEOS 浓度的测量方法 TEOS 浓度的测量方法主要有以下几种: (1)重量法:通过称取...