通常情况下，以TEOS作为沉积源沉积二氧化硅薄膜的PECVD技术，一般认为TBOS会发生分解反应。TEOS在等离子体中被分解，产生固态的二氧化硅沉积到衬底上，而其它的分解产物均为气态随反应尾气排走。在光谱图中检测到的Si和C-H的特征峰则表明TEOS在该等离子体中确实发生了分解反应，生成了硅的化合物和一些碳氢化合物。这也...