p-GaN功率开关的核心是p-GaN栅HEMT的制备技术。通过空穴补偿的机理,采用氢等离子体钝化技术,可以实现增强型的p-GaN栅HEMT——高阻盖帽层HEMT(HRCL-HEMT)。这种器件的阈值电压为1.75 V,饱和电流为188 m A/mm,开关比为～10^7。通过采用...
针对此问题,中科院苏州纳米所成功研制出基于凹槽二次外延p-GaN技术的增强型电力电子器件,且开发出具有工艺兼容性的高温LPCVD钝化技术相兼容,全面提升了器件的直流与动态特性。成果(项目)创新性/主要优势/知识产权布局中科院苏州纳米所成功研制出硅衬底上基于p-GaN栅极技术的增强型电力电子器件,输出电流为435 mA/mm,阈值...
这种技术是通过H等离子体将p-GaN中的浅能级受主杂质Mg钝化成Mg-H中性复合物,从而将p型GaN转化成高阻的GaN,这种高阻GaN将截断器件中p-GaN的漏电通道,提高栅控制能力,同时由于p-GaN中的Mg受主被钝化,释放了钝化区下方的原先被p-GaN耗尽的沟道电子。 H对于浅能级受主杂质有很强的钝化作用,但对于施主杂质的影响很...
目前,p-GaN帽层技术是实现增强型GaN基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的主流商用技术,但Mg掺杂难激活以及刻蚀损伤等因素限制了器件性能的进一步提升,因此高性能、低成本的增强型帽层技术具有重要的研究意义。 近日,西安电子科技大学张进成教授等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文,采用p型...
因为p-GaN的的掺杂浓度很难做到很高,并且掺杂剂Mg的离化率很低,因此p-GaN层一般是高阻层。EP1C3T100C8N所以在p-C・aN表面一般沉积一层透明导电层。早期的透明导电层一般是几十纳米的Ni/Au层在α氛围中退火得到,目前业界生产一般采用氧化铟锡(ITO)作为透明导电层。因此将ITo粗化也是提高光提取效率的一种方式...
在 p-GaN 上的 Ni/Ag 欧姆电极上蒸镀 Mg 覆层,可以显著提高电极的光反射系数和表面形貌。对电极金属和 GaN 界面处的界面反 应采用次级离子质谱( SIMS )深度剖面和 同步辐射光电发射谱( SRPES )进行分析。基于以上实验结果,对在电极上增加 Mg 覆层的效果和 Ni/Ag 电极的光学性能进行了讨论。
为了得到高击穿电压,高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(P-GaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构.该器件的阈值电压高达3.4 V,击穿电压达738 V.利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGaN双异质器件的阈值电压和耐压.结果表明,栅槽深度在5～...
核心技术当然还是我们熟悉的GAN,但不同的是,现在身体的每个部分都能被PS了。 从脸,肤色、服饰、头发等身体各个部位,甚至到肢体动作,都能被随意设计和组合,最终“缝”成一张1024 × 1024分辨率的全身照片: 而且这张“缝合怪”还完全没有拼接行为带来的阴影和边界: ...
制备GaN基发光二极管外延片需要制备pn结,实现高浓度的p-型(Mg)和n-型(Si)掺杂,传统技术实现的p-掺杂载流子浓度为1-3×1017cm-3,n-型掺杂载流子浓度为1-5×1018cm-3。用我们开发的掺杂技术,p-掺杂载流子浓度为最高达5×1018cm-3,n-型掺杂载流子浓度为2×1020cm-3。 GaN还具有优异的抗辐射特性和高温工作...
p 栅极 GaN HEMT 面临的一些挑战 在创建增强型 GaN 技术的各种选项中,p 栅极 GaN HEMT 已成为一种流行的器件选择。在栅极金属下添加掺杂镁的 p 型层有助于将带隙以及器件的阈值电压 V th移至正范围。该器件的肖特基金属势垒版本 (SP-HEMT) 已被许多器件制造商和代工厂商业化,电压等级范围从 15 到 650 V...