我们通过精确控制p-GaN层的蚀刻深度,同时对底层AlGaN势垒造成较小蚀刻损伤,对于恢复接入区域中的高密度电子是必要的,这是p-GaN栅极HEMT制造中较关键的工艺。通常,我们为了完全耗尽沟道中的2DEG以进行常关操作,会在外延技术中采用厚的p-GaN层和薄的AlGaN层。 由于过度蚀刻,AlGaN势垒进一步变薄,即使是几纳米,也可能...
04月17日 一、p-GaN功率开关的制备技术 p-GaN功率开关的核心是p-GaN栅HEMT的制备技术。通过空穴补偿的机理,采用氢等离子体钝化技术,可以实现增强型的p-GaN栅HEMT——高阻盖帽层HEMT(HRCL-HEMT)。这种器件的阈值电压为1.75 V,饱和电...
总之,P型GaN作为一种具有较高吸收率的宽禁带半导体材料,在紫外光领域有着广泛的应用前景。通过精确调控杂质掺杂和晶格结构,可以实现P型GaN对紫外光的高吸收和高效发射,为紫外光探测、发光和高功率电子器件等领域提供了新的可能性。随着研究的深入和技术的不断发展,相信P型GaN在紫外光领域的应用将得到进一步的拓展。
我们通过精确控制p-GaN层的蚀刻深度,同时对底层AlGaN势垒造成较小蚀刻损伤,对于恢复接入区域中的高密度电子是必要的,这是p-GaN栅极HEMT制造中较关键的工艺。通常,我们为了完全耗尽沟道中的2DEG以进行常关操作,会在外延技术中采用厚的p-GaN层和薄的AlGaN层。 由于过度蚀刻,AlGaN势垒进一步变薄,即使是几纳米,也可能...
针对上述问题,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张宝顺课题组提出一种新的实现增强型p-GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT的工艺技术——H等离子体钝化p-GaN技术。这种技术是通过H等离子体将p-GaN中的浅能级受主杂质Mg钝化成Mg-H中性复合物,从而将p型GaN转化成高阻的GaN,这种高阻GaN将截断器件中p-GaN的漏电通道...
技术实现思路 1、本发明的目的在于提供一种p型gan欧姆接触结构的制备方法及应用,其能够降低比接触电阻率,提高p型gan欧姆接触性能。 2、为实现上述目的,本发明的实施例提供了一种p型gan欧姆接触结构的制备方法,包括:在衬底上生长外延层,所述外延层包括位于顶层的mg掺杂的p型gan层;对所述mg掺杂的p型gan层进行碳离...
成果(项目)简介GaN基电力电子器件作为对电能实现高效控制的核心部件,在整个电力电子技术中扮演着至关重要的角色。最近三年内,以日本松下、美国EPC、加拿大GaN System为代表的三家半导体功率器件公司,相继推出了以p型栅极为技术路线的GaN基增强型电力电子器件商用化产品。由于采用该技术路线制备增强型器件对于材料外延生长、...
我们通过精确控制p-GaN层的蚀刻深度,同时对底层AlGaN势垒造成较小蚀刻损伤,对于恢复接入区域中的高密度电子是必要的,这是p-GaN栅极HEMT制造中较关键的工艺。通常,我们为了完全耗尽沟道中的2DEG以进行相关操作,会在外延技术中采用厚的p-GaN层和薄的AlGaN层。
本发明属于半导体器件,具体涉及一种p型gan欧姆接触结构及其制备方法和应用。 背景技术: 1、氮化镓(gan)基材料(包括gan、ain、inn及其合金等)是继硅、砷化镓之后的第三代半导体,其禁带宽度范围为0.7-6.2ev,由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻,因此在光电子和微电子领域具有广泛...
而他们提出的这个视频人脸语义编辑框架，相对于当前技术水平做出了重大改进：只采用了标准的非时序StyleGAN2，对GAN editing pipeline中的不同组件进行分析，确定哪些组件具备一致性，就用这些组件来操作。整个过程不涉及任何用来维持时间一致性的额外操作。具体流程一共分为六步：1、输入视频首先被分割成帧，每帧中的...