NiO/GaN p-n结紫外探测器及自供电技术*王顺利1)2) 王亚超1) 郭道友1)2)† 李超荣1) 刘爱萍1)2)‡ 1) (浙江理工大学物理系, 浙江省光场调控技术重点实验室, 光电材料与器件中心, 杭州 310018)2) (金华紫芯科技有限公司, 金华 321015)(2021 年1 月22日收到; 2021 年2 月7日收到...
在高质量的n-GaN膜上(由金属有机化学气相沉积生长在蓝宝石衬底上)沉积一层p-NiO,构建了NiO/GaN p-n结,在±0.5 V下显示出明显的二极管整流特性.利用结区产生的内建电场,器件可以在没有外加偏压的条件下工作.0 V下对365 nm的紫外光显示出272.3 mA/W的响应度以及高达2.83×10^(14)Jones的探测率.得益于...
p-n结和肖特基结的结接触区由于不同材料之间的电势差会产生内建电场, 它使得光生载流子可以自发且快速的分离, 不仅能够提高响应速度同时还具有自供电的效果. 肖特基结型探测器由于表面的金属电极阻碍了紫外光的入射, 使得探测器的光响应度不佳, 从而限制了它的发展. 相比较而言, 具有自供电、快速光响应的p-n结...
摘要 本发明属于光电探测器技术领域,具体涉及一种基于NiO/GaNp‑n结自供电紫外探测器及制备方法,探测器包括衬底、位于所述衬底上方的n‑GaN层、位于所述n‑GaN层背离所述衬底一侧的p‑NiO层、第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述p‑NiO层背离所述n‑GaN层一侧,所述第二电极与所述n‑GaN层抵...
本发明属于光电探测器技术领域,具体涉及一种基于NiO/GaNpn结自供电紫外探测器及制备方法,探测器包括衬底,位于所述衬底上方的nGaN层,位于所述nGaN层背离所述衬底一侧的pNiO层,第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述pNiO层背离所述nGaN层一侧,所述第二电极与所述nGaN层抵接,所述nGaN层和所述pNiO层形成NiO/...