戴心玥博士创新提出了一种具有欧姆岛镶嵌的p-GaN栅(Island Ohmic p-GaN gate, 简称IO-PGaN)增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构,成功实现了稳定的阈值电压和较大的栅极摆幅。通过定制含有Mg重掺杂盖帽层的外延结构,在欧姆岛顶部实现良好的p型欧姆接触,其余部分为肖特基接触。此外,欧姆岛侧壁的肖特基接触与顶部的欧姆接触...
1.三栅结构:PGaN三栅MOS结构具有三个栅极,分别为正栅极、负栅极和源栅极。这三个栅极分别用来控制功率晶体管的导通和截止状态。 2.通道区:PGaN三栅MOS结构的通道区是由P型GaN材料构成的,其导电性能好,可以有效地提高功率晶体管的导通能力。 3.优秀的开关特性:PGaN三栅MOS结构具有快速开关速度和低开关损耗的特...
摘要 本发明公开了一种p‑GaN氮化镓基晶体管结构,包括:衬底、缓冲层、GaN层及A l GaN层,在所述A l GaN层上还设有源极、漏极和p‑GaN帽层;所述p‑GaN帽层上设有栅极,所述p‑GaN帽层和所述栅极之间至少设有一层绝缘层。通过在p‑GaN帽层与栅极之间增加了一层绝缘层,使得本发明提供的氮化镓基晶...
p型欧姆的帽层研究并不多,而且外延结构也不相同,之前多集中于led的欧姆研究,现有技术中设计了一种p-type led的ni/ag/ni欧姆结构,ni作为帽层,有效的保护了下层金属,表现在接触电阻率和表面粗糙度优于无帽层ni/ag结构等方面。
摘要 具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构,涉及发光二极管外延技术领域。本实用新型从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是,所述P型GaN层从下至上依次包括交替生长的AlxGa1-xN层和MgN-In层,位于最顶层的MgN-In层上方置有P-AlGaN层。同现有...
1、本发明的目的在于提供一种p型gan欧姆接触结构的制备方法及应用,其能够降低比接触电阻率,提高p型gan欧姆接触性能。 2、为实现上述目的,本发明的实施例提供了一种p型gan欧姆接触结构的制备方法,包括:在衬底上生长外延层,所述外延层包括位于顶层的mg掺杂的p型gan层;对所述mg掺杂的p型gan层进行碳离子注入并退火;...
一种p-gan hemt中的新结构 技术领域 1.本发明涉及电子元器件制造技术领域,具体涉及一种p-gan hemt中的新结构。 背景技术: 2.gan基的功率器件由于其宽禁带、高电子饱和速率和高击穿电压,已经成为制备高频、大功率器件的理想材料。通过几种方法使用不同的技术可以获得gan增强型hemt器件,如f离子注入,p-gan帽层,槽...
实现增强型p-GaN 栅结构的H等离子体钝化p-GaN技术 由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点,GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点。由于极化作用,AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度的二维电子气,浓度可达到1013/cm2量级,因此一般的GaN HEMT都是耗尽型器件。
一种GaN基自旋发光二极管及其制备方法 本发明提供了一种GaN基自旋发光二极管(Spin-LED),具有如下结构:在导电衬底之上依次是P型欧姆接触电极,P型GaN层,InGaN/GaN多量子阱有源层,N型GaN层,掺杂过渡金属元素的... 于彤军,张国义,杨学林,... 被引量: 5发表: 2009年 加载更多0...