p-GaN功率开关的核心是p-GaN栅HEMT的制备技术。通过空穴补偿的机理,采用氢等离子体钝化技术,可以实现增强型的p-GaN栅HEMT——高阻盖帽层HEMT(HRCL-HEMT)。这种器件的阈值电压为1.75 V,饱和电流为188 m A/mm,开关比为~10^7。通过采用...
针对此问题,中科院苏州纳米所成功研制出基于凹槽二次外延p-GaN技术的增强型电力电子器件,且开发出具有工艺兼容性的高温LPCVD钝化技术相兼容,全面提升了器件的直流与动态特性。成果(项目)创新性/主要优势/知识产权布局中科院苏州纳米所成功研制出硅衬底上基于p-GaN栅极技术的增强型电力电子器件,输出电流为435 mA/mm,阈值...
GaN基LED外延芯片厂在传统正装结构,一方面由于p-GaN在上表面,不好粗化;另一方面粗化p-GaN会带来一些损伤或者漏电等其他光电参数的问题,而且粗化后在点测时光功率有很大程度上的提高,但是封装后由于支架杯底良好的反射效果而使得粗化引入的光提取效率提高变得较为有限。但是在垂直结构LED上,将G洲夕卜延膜剥离后,n~Ga...
目前,p-GaN帽层技术是实现增强型GaN基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的主流商用技术,但Mg掺杂难激活以及刻蚀损伤等因素限制了器件性能的进一步提升,因此高性能、低成本的增强型帽层技术具有重要的研究意义。 近日,西安电子科技大学张进成教授等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文,采用p型...
最近对基于GaN材料的p-n结探测器也有一些研究, 例如Su等[14]利用金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)和分子束外延的方法分别沉积p-GaN和n-ZnO构成p-n结器件, 在0 V下对358 nm的光显示出0.68 mA/W的响应度; Zhu等[15]通过MOCVD法在p-GaN衬底上制备n-ZnMgO构成p-n结...
在 p-GaN 上的 Ni/Ag 欧姆电极上蒸镀 Mg 覆层,可以显著提高电极的光反射系数和表面形貌。对电极金属和 GaN 界面处的界面反 应采用次级离子质谱( SIMS )深度剖面和 同步辐射光电发射谱( SRPES )进行分析。基于以上实验结果,对在电极上增加 Mg 覆层的效果和 Ni/Ag 电极的光学性能进行了讨论。
为了得到高击穿电压,高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(P-GaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构.该器件的阈值电压高达3.4 V,击穿电压达738 V.利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGaN双异质器件的阈值电压和耐压.结果表明,栅槽深度在5~...
核心技术当然还是我们熟悉的GAN,但不同的是,现在身体的每个部分都能被PS了。 从脸,肤色、服饰、头发等身体各个部位,甚至到肢体动作,都能被随意设计和组合,最终“缝”成一张1024 × 1024分辨率的全身照片: 而且这张“缝合怪”还完全没有拼接行为带来的阴影和边界: ...
【万物皆可GAN】清华博士带你2小时学会生成式对抗网络,只要有技术,你想GAN谁就GAN谁!(人工智能深度学习神经网络对抗模型)共计16条视频,包括:关晓彤 高清AI 训练2小时 GAN0.008、01.课程简介、02.对抗生成网络形象解释等,UP主更多精彩视频,请关注UP账号。
p 栅极 GaN HEMT 面临的一些挑战 在创建增强型 GaN 技术的各种选项中,p 栅极 GaN HEMT 已成为一种流行的器件选择。在栅极金属下添加掺杂镁的 p 型层有助于将带隙以及器件的阈值电压 V th移至正范围。该器件的肖特基金属势垒版本 (SP-HEMT) 已被许多器件制造商和代工厂商业化,电压等级范围从 15 到 650 V...