7月4日，名古屋大学公布了一项重要发现：通过简单的热反应，GaN与金属镁（Mg）结合形成了独特的超晶格结构，这一结构显著提升了P型GaN基器件的性能。这一突破性成果由YLC特聘助理教授王佳和名古屋大学先端研究所/未来材料与系统研究所的Hiroshi Amano教授领导的研究团队共同完成，并已详细发表在英国科学杂志《自然》上。
理 论上 .Be 的受主 电离 能 只有 60 meV ,可能 是 比较 好的掺 杂剂 文中 系统 研讨 了 GaN 材料 P 型掺杂 遇到的 问题 及其 相关 机制。 关键 词 :背 景载 流子 浓度 ;形成 能 ;朴偿 }激活低能 电子 束辐照 }快 速捕 退火 中围 分类 号:T N 304.23 文 献标 识码:A 文章 编号 :...
长期以来GaN材料的p型有效掺杂浓度不高，无法实现p型重掺杂。其主要原因有以下几个方面：首先，GaN材料生长过程中容易产生N空位，N空位是施主源，所以GaN是一种自补偿型的材料，未掺杂就显n型；其次，MOCVD生长GaN时采用有机镓和NH3反应，则在GaN中含有H，这样当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电中...
所述方法包括:对掺有1%～3%In的氮化镓材料进行Mg离子注入和退火激活,从而获得p型掺杂的氮化镓材料。本发明实施例提供的一种基于Mg离子注入与退火激活实现氮化镓p型掺杂的方法,在外延生长氮化镓时掺入少量In组分并不会改变GaN的本身固有属性,外延生长的氮化镓材料整体的质量较高,其本征浓度与GaN的本征浓度接近,从而使在...
——III族氮化物宽禁带半导体的高效p型掺杂新途径研究 III族氮化物(又称GaN基 )宽禁带半导体是第三代半导体的典型代表,具有一系列优异性质,是继Si和GaAs之后最重要的半导体材料,对国家的产业升级、节能减排具有战略意义,同时它也是全球高技...
然而，对于样品B的非选择性p-GaN蚀刻，暴露的AlGaN表面粗糙度高达0.987nm。这相当于生长的p-GaN表面，由于Cp2Mg的掺杂，其具有1.053nm RMS粗糙度。显然，样品B AlGaN 表面要粗糙得多，因为由于非选择性蚀刻的性质，其形貌基本上继承自生长的p-GaN 层。结论 在这项工作中，英思特通过使用BCl3/SF6混合物在...
2 1,N o. 2 200 1 年 5 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE M ay , 200 1 GaN 材料 p 型掺杂 谢世勇 郑有 陈鹏张荣 (南京大学物理系, 2 10093) 收稿,收改稿 摘要: 近几年来, GaN 材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN 基蓝光L ED 和LD 相继 研制成功并进入市场, 更加推动了...
《p型指数掺杂GaN光电材料的原子层沉积生长与阴极研制》是依托电子科技大学,由王晓晖担任醒目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 GaN基紫外光电阴极由于其宽禁带、耐腐蚀、耐高压等特点在光电子器件研究中受到了广泛关注，并成为当下研究的热点。目前，难以提高p型GaN材料中的电子扩散长度已经成为制约其性能的关键因素。
设计p型GaN的生长,通过较少的实验,优化了影响p型G aN性质的三个生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ /Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ /Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型G aN的载流子浓度和光学性质的影响.实验结果表明,700~750℃范围为最佳退火温度.关键词:GaN ;掺杂;光致发光;...