有研究显示优化掺杂能提升发光效率。材料的晶体结构影响P型掺杂效果。高质量晶体结构可促进P型掺杂均匀。位错等缺陷会干扰P型掺杂的分布。改善晶体质量是优化掺杂的关键之一。P型掺杂GaN的表面性质也很重要。表面粗糙度影响器件的性能表现。光滑表面有助于提高器件稳定性。表面处理能调整P型GaN表面特性。一些化学处理可...
THz-TDE实验结果揭示，在轻掺杂的N型GaN表面构建MiGs结构后，肖特基势垒的高度确实有所增加。这一观察结果印证了二维镁（2D-Mg）能够感应出空间负电荷，同时，MiGs结构也有助于增强与P型GaN的欧姆接触。该课题组对MiGs结构的发现以及2D-Mg掺杂机制的洞见，为探索金属-半导体超晶格的能带结构和导电特性提供了崭新的研...
Ga N基蓝光 L ED和 L D相继研制成功并进入市场 ,更加推动了 Ga N材料的发展.目前 Ga N器件发展主要的障碍在于背景载流子 (电子 )浓度太高 ,p型掺杂水平低.背景载流子可能与 N空位,替位式 Si,替位式 O等有关.p型掺杂 (主要是掺 Mg)方面 ,H补偿受主 Mg,使掺 Mg的 Ga N成为半绝缘.经过低能电子束...
研究团队报告称，该器件的性能与GaN同质结PiN二极管相当，但制备更简单，设计更灵活。研究人员评论道：“我们的研究结果表明，p-NiO/LiNiO有望取代p-GaN，成为GaN功率器件中有效的局部p型掺杂区域。”同质结GaN器件通常采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺处理，并在p型层掺杂镁。遗憾的是，这种掺杂具有较高的活...
长期以来GaN材料的p型有效掺杂浓度不高，无法实现p型重掺杂。其主要原因有以下几个方面：首先，GaN材料生长过程中容易产生N空位，N空位是施主源，所以GaN是一种自补偿型的材料，未掺杂就显n型；其次，MOCVD生长GaN时采用有机镓和NH3反应，则在GaN中含有H，这样当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电...
所述方法包括:对掺有1%～3%In的氮化镓材料进行Mg离子注入和退火激活,从而获得p型掺杂的氮化镓材料。本发明实施例提供的一种基于Mg离子注入与退火激活实现氮化镓p型掺杂的方法,在外延生长氮化镓时掺入少量In组分并不会改变GaN的本身固有属性,外延生长的氮化镓材料整体的质量较高,其本征浓度与GaN的本征浓度接近,从而使在...
GaN材料p型掺杂_谢世勇 第2 1卷 第2期 固体电子学研究与进展 V o l. 2 1,N o. 2 200 1 年 5 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE M ay , 200 1 GaN 材料 p 型掺杂 谢世勇 郑有 陈鹏张荣 (南京大学物理系, 2 10093) 收稿,收改稿 摘要: 近几年来, GaN 材料生长和器件制备都...
P-type doping of GaN(GaN的P型掺杂) 预非晶化离子注入对硅p_n结性能的影响 离子注入 《离子注入》课件 离子注入.ppt 离子注入报告 等离子体基低能离子注入技术的研究与发展 基于离子注入剥离方法的硅基碳化硅单晶薄膜集成制备研究 基于GaN材料p型掺杂的研究进展 《离子注入技术》课件 离子注入表面硬化 离子注入技术...
(3)显示出n型电导,另外,制作GaN各种器件都涉及到掺杂问题,掺,i可以很容易实现n型,电子浓度达到1015~1020cm(3)室温迁移率超过300cm2/V(s)但p型掺杂遇到许多问题,通常掺Mg-GaN的空穴浓度只有1017~1018cm(3)迁移率尚不到10cm2/V(s)掺杂效率只有0,1%~1%,不能很好满足器件要求,一般认为这一方面与,有关,另...
当时遗留的一个问题是如何生长p型层,这一问题与掺杂元素的中和有关,而这一点又影响了发光效率。赤崎勇与天野浩在SEM中测试Zn掺杂GaN时注意到,电子束照射后LED的发光效应会增强。这说明电子辐照会提高p型掺杂的发光效率。这一突破性进展使补偿型Mg掺杂GaN转变为导电型的p型材料。1993年,中村修二(Shuji Nakamura)...