这一结构显著提升了P型GaN基器件的性能。这一突破性成果由YLC特聘助理教授王佳和名古屋大学先端研究所/未来材料与系统研究所的Hiroshi Amano教授领导的研究团队共同完成，并已详细发表在英国科学杂志《自然》上。
长期以来GaN材料的p型有效掺杂浓度不高，无法实现p型重掺杂。其主要原因有以下几个方面：首先，GaN材料生长过程中容易产生N空位，N空位是施主源，所以GaN是一种自补偿型的材料，未掺杂就显n型；其次，MOCVD生长GaN时采用有机镓和NH3反应，则在GaN中含有H，这样当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电中...
有研究显示优化掺杂能提升发光效率。材料的晶体结构影响P型掺杂效果。高质量晶体结构可促进P型掺杂均匀。位错等缺陷会干扰P型掺杂的分布。改善晶体质量是优化掺杂的关键之一。P型掺杂GaN的表面性质也很重要。表面粗糙度影响器件的性能表现。光滑表面有助于提高器件稳定性。表面处理能调整P型GaN表面特性。一些化学处理可...
所述方法包括:对掺有1%～3%In的氮化镓材料进行Mg离子注入和退火激活,从而获得p型掺杂的氮化镓材料。本发明实施例提供的一种基于Mg离子注入与退火激活实现氮化镓p型掺杂的方法,在外延生长氮化镓时掺入少量In组分并不会改变GaN的本身固有属性,外延生长的氮化镓材料整体的质量较高,其本征浓度与GaN的本征浓度接近,从而使在...
然而，对于样品B的非选择性p-GaN蚀刻，暴露的AlGaN表面粗糙度高达0.987nm。这相当于生长的p-GaN表面，由于Cp2Mg的掺杂，其具有1.053nm RMS粗糙度。显然，样品B AlGaN 表面要粗糙得多，因为由于非选择性蚀刻的性质，其形貌基本上继承自生长的p-GaN 层。结论 在这项工作中，英思特通过使用BCl3/SF6混合物在...
同质结GaN器件通常采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺处理，并在p型层掺杂镁。遗憾的是，这种掺杂具有较高的活化能，难以有效激活，导致空穴浓度较低。研究人员评论道：“开发可灵活沉积的高导电和高质量p型层，对于实现结势垒肖特基（JBS）二极管、环形终端结构、场板等先进器件概念至关重要。”同一GaN芯片上的...
设计p型GaN的生长,通过较少的实验,优化了影响p型G aN性质的三个生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ /Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ /Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型G aN的载流子浓度和光学性质的影响.实验结果表明,700~750℃范围为最佳退火温度.关键词:GaN ;掺杂;光致发光;...
GaN 基蓝光L ED 和LD 相继 研制成功并进入市场, 更加推动了GaN 材料的发展。目前 GaN 器件发展主要的障碍在于背景载流 ( ) 子 电子 浓度太高, 型掺杂水平低。背景载流子可能与 空位、替位式 、替位式 等有关。 型 p N Si O p ( ) 掺杂 主要是掺M g 方面, H 补偿受主M g, 使掺M g 的 GaN...
我们认为这是由于GaN薄膜经过离子注入晶格产 生损伤.经过lO分钟退火后,晶格损伤并没有完全被修复,因此在图1中O.4tun处的峰归结于晶格 损伤,位于0.833ttm处的峰才是形成了p-n结。经过1个小时的退火,晶格损伤基本被修复.因此 只留下一个峰,这归结于n型向P型转换.所以在图2中O.8vxa处到薄膜表面形成P型区域...
——III族氮化物宽禁带半导体的高效p型掺杂新途径研究 III族氮化物(又称GaN基 )宽禁带半导体是第三代半导体的典型代表,具有一系列优异性质,是继Si和GaAs之后最重要的半导体材料,对国家的产业升级、节能减排具有战略意义,同时它也是全球高技...