Ga N基蓝光 L ED和 L D相继研制成功并进入市场 ,更加推动了 Ga N材料的发展.目前 Ga N器件发展主要的障碍在于背景载流子 (电子 )浓度太高 ,p型掺杂水平低.背景载流子可能与 N空位,替位式 Si,替位式 O等有关.p型掺杂 (主要是掺 Mg)方面 ,H补偿受主 Mg,使掺 Mg的 Ga N成为半绝缘.经过低能电子束...
(约250meVD有关O其它掺杂剂也在研究中O理论上,Be的受主电离能只有60meV,可能是比较好的掺杂剂O文中系统研讨了 材料P型掺杂遇到的问题及其相关机制O关键词:背景载流子浓度;形成能;补偿;激活;低能电子束辐照;快速热退火中图分类号:T 304.23文献标识码:A文章编号:1000 3819(2001D02 0204 07p typ op n ofGaN...
理 论上 .Be 的受主 电离 能 只有 60 meV ,可能 是 比较 好的掺 杂剂 文中 系统 研讨 了 GaN 材料 P 型掺杂 遇到的 问题 及其 相关 机制。 关键 词 :背 景载 流子 浓度 ;形成 能 ;朴偿 }激活低能 电子 束辐照 }快 速捕 退火 中围 分类 号:T N 304.23 文 献标 识码:A 文章 编号 :...
目前,GaN材料的P型掺杂成为制约其应用的关键瓶颈之一。 二、研究目的 本研究旨在探究GaN材料中P型掺杂的机理及方法,以解决目前GaN材料P型掺杂存在的问题,提高半导体材料的性能,推动GaN材料在电子器件中的应用。 三、研究内容及步骤 本研究将从以下三个方面展开: 1. P型掺杂机理的研究 通过理论模拟、材料电学性能...
长期以来GaN材料的p型有效掺杂浓度不高，无法实现p型重掺杂。其主要原因有以下几个方面：首先，GaN材料生长过程中容易产生N空位，N空位是施主源，所以GaN是一种自补偿型的材料，未掺杂就显n型；其次，MOCVD生长GaN时采用有机镓和NH3反应，则在GaN中含有H，这样当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电...
(72)发明人 王哲明 蔡勇 张璇 张宝顺 (74)专利代理机构 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256代理人 王锋(51)Int.Cl.H01L 21/265 (2006.01)H01L 21/324 (2006.01) (54)发明名称氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作方法及其应用(57)摘要本发明公开了一种氮化镓p型掺杂的方法、GaN基PN结的制作...
在研究中,通过优化外延生长和制备工艺,成功实现了AlGaN/GaN超晶格的p型掺杂。其中,主要使用了镓N面作为外延衬底,通过Mg原子的掺杂实现p型杂质。而研究表明,超晶格中p型导电性主要受到掺杂剂浓度、外延温度、掺杂时间和退火处理等因素的影响。 首先,掺杂剂浓度对超晶格p型导电性的影响是非常显著的。实验结果表明,较...
《p型指数掺杂GaN光电材料的原子层沉积生长与阴极研制》是依托电子科技大学,由王晓晖担任醒目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 GaN基紫外光电阴极由于其宽禁带、耐腐蚀、耐高压等特点在光电子器件研究中受到了广泛关注，并成为当下研究的热点。目前，难以提高p型GaN材料中的电子扩散长度已经成为制约其性能的关键因素。
基于这些研究本文取得了以下成果和结论:1.A1GaN/GaN超晶格的空穴微带效应是超晶格结构提高P型掺杂效果的物理机理。超晶格形成的空穴微带能够降低AIGaN材料中受主元素的激活能,这使得受主的离化率得到提高。2.A/GaN/GaN超晶格空穴微带的形成主要是由极化效应和界面应力引起的。考虑极化效应和界面应力时AIGaN/GaN超...