Ga N基蓝光 L ED和 L D相继研制成功并进入市场 ,更加推动了 Ga N材料的发展.目前 Ga N器件发展主要的障碍在于背景载流子 (电子 )浓度太高 ,p型掺杂水平低.背景载流子可能与 N空位,替位式 Si,替位式 O等有关.p型掺杂 (主要是掺 Mg)方面 ,H补偿受主 Mg,使掺 Mg的 Ga N成为半绝缘.经过低能电子束辐照(
有研究显示优化掺杂能提升发光效率。材料的晶体结构影响P型掺杂效果。高质量晶体结构可促进P型掺杂均匀。位错等缺陷会干扰P型掺杂的分布。改善晶体质量是优化掺杂的关键之一。P型掺杂GaN的表面性质也很重要。表面粗糙度影响器件的性能表现。光滑表面有助于提高器件稳定性。表面处理能调整P型GaN表面特性。一些化学处理可...
长期以来GaN材料的p型有效掺杂浓度不高，无法实现p型重掺杂。其主要原因有以下几个方面：首先，GaN材料生长过程中容易产生N空位，N空位是施主源，所以GaN是一种自补偿型的材料，未掺杂就显n型；其次，MOCVD生长GaN时采用有机镓和NH3反应，则在GaN中含有H，这样当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电中...
目前 GaN 器件发展主要的障碍在于背景载流 ( ) 子 电子 浓度太高, 型掺杂水平低。背景载流子可能与 空位、替位式 、替位式 等有关。 型 p N Si O p ( ) 掺杂 主要是掺M g 方面, H 补偿受主M g, 使掺M g 的 GaN 成为半绝缘。经过低能电子束辐照 (L EEB I) 或快速热退火(R TA ) 处理后...
i可以很容易实现n型,电子浓度达到1015~1020cm(3)室温迁移率超过300cm2/V(s)但p型掺杂遇到许多问题,通常掺Mg-GaN的空穴浓度只有1017~1018cm(3)迁移率尚不到10cm2/V(s)掺杂效率只有0,1%~1%,不能很好满足器件要求,一般认为这一方面与,有关,另一方面也与Mg自身较高的电离能有关,这些问题成为当前阻碍GaN器件...
设计p型GaN的生长,通过较少的实验,优化了影响p型G aN性质的三个生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ /Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ /Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型G aN的载流子浓度和光学性质的影响.实验结果表明,700~750℃范围为最佳退火温度.关键词:GaN ;掺杂;光致发光;...
P型掺杂GaN研究现状及发展
渐变δ2Mg 掺杂的 GaN 表面帄整光滑 。 未进行任何退火的样品中由于 Mg 未激活 ,样 品呈现高阻而无法测试 。在对样品进行了第一次退 峰宽没有明显差异 。其中样品 A 的测试结果如图 4 。此图是 p 型 GaN (0002) 面的 XRD 测试曲线 ,其 峰值位于 17. 19°, 半峰宽 ( FW HM) 为 262″...
内容提示: 第l0 卷第 1期 20 13 年 2 月 综述 Sum mar i zati on V o1 . 10 No. 1 F ebrua ry 20 13 P 型掺杂 GaN 研究现状及发展 臧宗娟,石锋 ( 山东师范大学物理与电子科 学学院,山东 济南 250014 ) 摘饱和速度、高热导率、高耐温性、强抗辐射和稳定的化学性质等优点,在- 3 代微...
1.一种delta掺杂生长p-gan栅型hemt结构的方法,其特征在于,包括以下步骤: 技术总结 本发明涉及电子器件技术领域,具体公开了一种Delta掺杂生长p‑GaN栅型HEMT结构的方法,包括以下步骤:升温到1100℃通H2清洗衬底表面并将衬底表面腐蚀出台阶方便后续成核生长。然后降温至550℃生长后通入TMAl、TMGa和NH3生长低温AlGaN成核...