本发明公开了一种n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及其制备方法,主要解决现有n型GaN层应力较大的问题。其自下而上包括:c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6),其中n型GaN层(3)采用对称掺杂结构,包含上下对称的五层...
GaN是一种宽禁带半导体材料,低的欧姆接触不容易实现,GaN上外延Al组分渐变的AlxGa1-xN层,如果x由GaN-AlxGa1-xN界面至AlxGa1-xN表面增加,则形成N型GaN极化掺杂结构,N型GaN极化掺杂结构可用于肖特基二极管和场效应晶体管。N型GaN极化掺杂结构的体电阻率较高,在高频、高线性等电路应用中对欧姆接触有更高的要求。
制备GaN基发光二极管外延片需要制备pn结,实现高浓度的p-型(Mg)和n-型(Si)掺杂,传统技术实现的p-掺杂载流子浓度为1-3×1017cm-3,n-型掺杂载流子浓度为1-5×1018cm-3。用我们开发的掺杂技术,p-掺杂载流子浓度为最高达5×1018cm-3,n-型掺杂载流子浓度为2×1020cm-3。 GaN还具有优异的抗辐射特性和高温工作...
N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,在N型GaN极化掺杂结构上是Si/Ti/Al/Ni/Au结构的电极,半导体工艺中金属都会进行高温退火处理,高温下Si扩散到N型GaN极化掺杂结构中,相当于增加了N型GaN表面掺杂的作用,从而改善欧姆接触电阻,降低N型GaN极化掺杂器件的电压,Ni/Au层Au起到抗氧化的作用,Al/Au之间的中间层则起到晶格过渡...
摘要 本发明公开了一种准垂直混合式N型高掺杂GaN LED芯片的制备方法,在蓝宝石生长衬底上生长GaN成核层,在GaN成核层上生长非故意掺杂GaN缓冲层,接着生长高掺杂N型GaN欧姆接触层、InGaN/GaN多量子阱(MQWs)有源层、P型AlGaN调制掺杂层和P型GaN欧姆接触层。然后,用ICP(耦合离子刻蚀)或RIE(反应离子刻蚀)蚀刻,小部...
非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光 GaN是一种非常有前景的半导体材料,具有禁带宽度大(～3.4eV)、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好、击穿电压高和高温化学稳定性好等特点,它的带隙又是直接型,所以它非常适合制作抗辐射、高频、大功率、耐高温和高密度集成的电子器件.而利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝...
实现本发明目的的技术方案为:一种基于真空分离式p-n结n型变掺杂gan基阳极的太阳能电池,包括gaas光电阴极、真空腔和阳极,其特征在于,所述阳极采用gan基材料,所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、aln缓冲层、n型变掺杂gan接收层。 优选地,所述衬底层为蓝宝石衬底。
本发明提供了基于真空分离式p‑n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池,包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极,所述阳极采用GaN基材料,所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层,其中AlN缓冲层生长在衬底层上;n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层,...
以下哪种掺杂半导体为n型?哪种为p型? (1)As掺入Ge; (2)In掺杂的Ge; (3)InSb中,Si占据Sb的位置; (4)GaN中,Mg占据Ga的位置。 相关知识点: 试题来源: 解析 (1)n型; (2)p型; (3)p型; (4)p型。 (1)n型;(2)p型;(3)p型;(4)p型。
百度试题 题目GaN通过掺杂施主杂质Si和受主杂质Mg可实现n型和p型半导体。( ) A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 A