GaN 持续光电导 负光电导 负持续光电导研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象,实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持续光电导(NPPC)现象。据知,这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上
GaN通过掺杂施主杂质Si和受主杂质Mg可实现n型和p型半导体。( )A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光 GaN是一种非常有前景的半导体材料,具有禁带宽度大(～3.4eV)、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好、击穿电压高和高温化学稳定性好等特点,它的带隙又是直接型,所以它非常适合制作抗辐射、高频、大功率、耐高温和高密度集成的电子器件.而利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝...
掺铌SrTiO3基片 400nm单面抛光薄膜,Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜N型不掺杂 采用溶胶-凝胶法,用醋酸锶,钛酸丁酯,乙醇铌作为前驱体,用旋 涂法制备掺铌钛酸锶多晶薄膜.用醋酸作为醋酸锶溶剂,并用丙三醇作为辅助溶剂,溶胶浓度及黏度均可在较大范围内调节.经600℃热处理后薄膜转化为钙钛矿 结构,扫描俄歇电子显微镜所做表面形...
这是因为高浓度 n 型掺杂 SiC 晶体在导带中存在大量载流子(电子),基于能带结构的特点,它们会吸收特定能量的可见光。通常情况下,半导体的禁带宽度会随着原子间距的减小而增大。就拿 SiC 来说,它的禁带宽度比 Si 大,却又小于 C(金刚石)的禁带宽度(5.5eV)。另外,GaN 的原子间距离(0.192nm)和 SiC 的原子间距离...
1. 改变材料的电学性能:离子注入可以在半导体材料中掺杂杂质,从而改变半导体的电学性能。比如,掺入磷(P)等杂质可使得半导体材料为n型半导体。 2. 改变材料的光学性能:通过离子注入,可以在半导体材料中引入缺陷,使半导体对光的吸收、发射产生更为复杂的变化。比如,通过氦注入,可以使得GaN电子拓扑结构发生改变,进而改变...
本实用新型公开了一种N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,涉及NGaN欧姆接触电极技术领域,N型GaN极化掺杂欧姆接触电极,在N型GaN极化掺杂结构上是Si/Ti/Al/Ni/Au结构的电极,半导体工艺中金属都会进行高温退火处理,高温下Si扩散到N型GaN极化掺杂结构中,相当于增加了N型GaN表面掺杂的作用,从而改善欧姆接触电阻,降低N型GaN极化...
本发明公开了一种n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及其制备方法,主要解决现有n型GaN层应力较大的问题。其自下而上包括:c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6),其中n型GaN层(3)采用对称掺杂结构,包含上下对称的五层...
本发明公开了一种准垂直混合式N型高掺杂GaN LED芯片的制备方法,在蓝宝石生长衬底上生长GaN成核层,在GaN成核层上生长非故意掺杂GaN缓冲层,接着生长高掺杂N型GaN欧姆接触层,InGaN/GaN多量子阱(MQWs)有源层,P型AlGaN调制掺杂层和P型GaN欧姆接触层.然后,用ICP(耦合离子刻蚀)或RIE(反应离子刻蚀)蚀刻,小部分蚀刻P...
本发明公开了一种n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及其制备方法,主要解决现有n型GaN层应力较大的问题.其自下而上包括:c面蓝宝石衬底层(1),高温AlN成核层(2),n型GaN层(3),InGaN/AlGaN多量子阱层(4),p型GaN层(5)和电极(6),其中n型GaN层(3)采用对称掺杂结构,包含上下对称的五层,即以中间位置的第...