P 型和 N 型半导体都属于外延半导体。 N 型和 P 型掺杂之间的核心差异在于电子通过半导体沉积层的方向。虽然 N 型和 P 型硅都是良好的电导体,但其实其导电性并不优秀。 在N 型掺杂中,少量的砷或磷被加入到硅中。这两种元素在外轨道的电子数都是5,所以当它们进入硅的晶体结构时不会显得突兀。由于第五个...
P型和N型单晶硅片的区别主要有以下三点: 1、导电不同:N型是电子导电,P型是空穴导电。 2、掺杂的东西不同:单晶硅中掺磷是N型,单晶硅中掺硼为P型。 3、性能不同:N型掺磷越多则自由电子越多,导电能力越强,电阻率就越低。P型掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多,导电能力越强,电阻率就越低。 PERC电池...
①掺杂的元素不同:单晶硅中掺磷是N型,单晶硅中掺硼为P型。 ②导电不同:N型是电子导电,P型是空穴导电。 N型硅片掺磷,光照条件下无硼氧复合对,改善了光致衰减(LID)和热辅助光诱导衰减(LeTID);P型硅片光照条件下硼氧复合对多。并最终体现在发电量上,极大的提高光伏系统的收益率。 【注:硼氧复合对起到载流...
一、全球能源转型逻辑目前全球能源消费由化石能源主导, +14 分享1918 fdtd吧 爱吃鱼的斌 请问,添加材料时怎么表示它是N型掺杂还是P型掺杂?? 分享3赞 光伏太阳能发电吧 水云无形 天合光能 P型 N型组件天合光能 Q1专场 N型 575W 单晶 Trinasolar 一线品牌 高效N型TOPCon 单面原厂质保25年 双面质保30年 大量...
A. 所用半导体材料不同 B. 掺杂元素的不同 C. 杂浓度的不同 D. 前者基区是 P 区,而后者基区是 N 区搜索 题目 【单选题】NPN和PNP型BJT的主要区别是___。 A. 所用半导体材料不同 B. 掺杂元素的不同 C. 杂浓度的不同 D. 前者基区是 P 区,而后者基区是 N 区 答案 解析 收藏...
1.NPN和PNP型晶体管的区别取决于___A、半导体材料硅和锗的不同, B、掺杂元素的不同 , C、掺杂浓度的不同, D、P区和N区的位置不同。2.N沟道和P沟道场效应管的区别在于___A、衬底材料前者为硅,后者为锗, B、衬底材料前者为 N型,后者为 P型, C、导电沟道中载流子前者为 电子,后者为空穴。? D...
NPN和PNP型晶体管的区别取决于___。 A、半导体材料硅和锗的不同 B、掺杂元素的不同 C、掺杂浓度的不同 D、P区和N区的位置不同 点击查看答案 你可能感兴趣的试题 单项选择题( )在批判古典学派利息理论的基础上建立了流动性偏好论,认为利息是一种纯货币现象。 A. 配第B. 亚当斯密 C. 萨伊D. 凯...
对于一块中等掺杂水平的p型半导体,画出下列4种情况下的能带简图,标出费米能级或准费米能级的位置,并总结小注入和大注入两种情况下准费米能级变化的区别(n为本征载流子浓度)。
NPN和PNP型晶体管的区别取决于_A.半导体材料硅和锗的不同B.掺杂元素的不同C.掺杂浓度的不同D.P区和N区的位置不同