有研究显示优化掺杂能提升发光效率。材料的晶体结构影响P型掺杂效果。高质量晶体结构可促进P型掺杂均匀。位错等缺陷会干扰P型掺杂的分布。改善晶体质量是优化掺杂的关键之一。P型掺杂GaN的表面性质也很重要。表面粗糙度影响器件的性能表现。光滑表面有助于提高器件稳定性。表面处理能调整P型GaN表面特性。一些化学处理可...
Ga N基蓝光 L ED和 L D相继研制成功并进入市场 ,更加推动了 Ga N材料的发展.目前 Ga N器件发展主要的障碍在于背景载流子 (电子 )浓度太高 ,p型掺杂水平低.背景载流子可能与 N空位,替位式 Si,替位式 O等有关.p型掺杂 (主要是掺 Mg)方面 ,H补偿受主 Mg,使掺 Mg的 Ga N成为半绝缘.经过低能电子束...
长期以来GaN材料的p型有效掺杂浓度不高，无法实现p型重掺杂。其主要原因有以下几个方面：首先，GaN材料生长过程中容易产生N空位，N空位是施主源，所以GaN是一种自补偿型的材料，未掺杂就显n型；其次，MOCVD生长GaN时采用有机镓和NH3反应，则在GaN中含有H，这样当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电中...
所述方法包括:对掺有1%～3%In的氮化镓材料进行Mg离子注入和退火激活,从而获得p型掺杂的氮化镓材料。本发明实施例提供的一种基于Mg离子注入与退火激活实现氮化镓p型掺杂的方法,在外延生长氮化镓时掺入少量In组分并不会改变GaN的本身固有属性,外延生长的氮化镓材料整体的质量较高,其本征浓度与GaN的本征浓度接近,从而使在...
2 1,N o. 2 200 1 年 5 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE M ay , 200 1 GaN 材料 p 型掺杂 谢世勇 郑有 陈鹏张荣 (南京大学物理系, 2 10093) 收稿,收改稿 摘要: 近几年来, GaN 材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN 基蓝光L ED 和LD 相继 研制成功并进入市场, 更加推动了...
设计p型GaN的生长,通过较少的实验,优化了影响p型G aN性质的三个生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ /Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ /Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型G aN的载流子浓度和光学性质的影响.实验结果表明,700~750℃范围为最佳退火温度.关键词:GaN ;掺杂;光致发光;...
P-type doping of GaN(GaN的P型掺杂) 预非晶化离子注入对硅p_n结性能的影响 离子注入 《离子注入》课件 离子注入.ppt 离子注入报告 等离子体基低能离子注入技术的研究与发展 基于离子注入剥离方法的硅基碳化硅单晶薄膜集成制备研究 基于GaN材料p型掺杂的研究进展 《离子注入技术》课件 离子注入表面硬化 离子注入技术...
内容提示: 第l0 卷第 1期 20 13 年 2 月 综述 Sum mar i zati on V o1 . 10 No. 1 F ebrua ry 20 13 P 型掺杂 GaN 研究现状及发展 臧宗娟,石锋 ( 山东师范大学物理与电子科 学学院,山东 济南 250014 ) 摘饱和速度、高热导率、高耐温性、强抗辐射和稳定的化学性质等优点,在- 3 代微...
P型掺杂GaN研究现状及发展
基础上,利用自行开发研制的MOCVD设备,对硅衬底上GaN的外延生长和P 型掺杂进行了研究,取得了一些阶段性的成果。 主要工作如下: 1.使用自行丌发的MOCVD系统,利用高温AIN缓冲层,在si011)衬底上成 功生长出GaN单晶。测试显示晶体质量达到560arcsec,是文献报道过最好的结 果之一。、 2.采用Cp2Mg做掺杂源,成功获得了...