MOSFETは構造上ドレイン・ソース間に、ボディダイオードと呼ばれる寄生ダイオードが形成されます。 図1:MOSFETの断面構造とボディダイオードの等価回路 下図に、MOSFET断面中にボディダイオードが形成される位置と、寄生素子を考慮した等価回路を掲載しました...
MOSFETゲートドライバーICとは、MOSFETのゲート電圧を制御することでオン・オフのスイッチングを行うICです。当社MOSFETゲートドライバーICは昇圧回路や保護回路を内蔵しているほか、超小型パッケージ (1.2×0.8mm)、低消費電流、高い最大入力電圧、安定...
概要 製品 ハイライト 技術資料他 デザインサポート ビデオ トレーニング サポート Nチャネル、PチャネルデュアルMOSFET インフィニオンのデュアルMOSFET製品のラインアップでは、MOSFETチップをN+Nチャンネル、N+Pチャンネル、P+Pチャンネルの組み合わせで、クラス最高の性能と高効率...
STのSiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFETの製品ポートフォリオは、業界最高クラスの動作時接合部温度定格である200℃を実現し、総電力損失を大幅に低減します。高効率かつ小型、軽量なシステムに最適です。
nチャンネルエンハンスメント形MOSFETを例として基本動作を説明する。第3図に静特性と四つの動作領域を示す。（a） 遮断領域 VGE < VT 第4図に遮断領域での状態を示す。ゲートに電圧を加えないVGE = 0またはしきい値電圧VTより低い状況では、ソース・ドレーン間にはチャンネルとなる反転...
4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用 : ゲートドライブ用信号ソース端子のケルビン接続でスイッチング損失を低減 第3世代SiC MOSFET ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い 順方向電圧 (ダイオード) が低い : VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V) ...
ハイライト CoolSiC™ MOSFETには、一連の利点があります。SiCスイッチにおいてみられる最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失ゼロ、温度に依存しない低いスイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオンステート特性が含まれます。 インフィニオン独自...
ゲート保護ダイオード内蔵 製品比較 アプリケーション ドキュメント ピックアップ ドキュメント更新通知を受け取ります。 ログイン後、ご登録が可能となります。 全種類アプリケーションノートカタログガイドデータシートマニュアル-開発ツール製品別信頼性...
(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、車載機器向けに、新パッケージS-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads)に当社U-MOSⅨ-Hプロセスのチップを搭載した40V耐圧NチャネルパワーMOSFET 「XPJR6604PB
弱反転領域で動作するMOSFETは,ドレインrnゲート,ソースの3端子素子としてモデル化できることがrnよく知られている。 机译:随着CMOS集成电路的小型化,对低电压,低功率的模拟电路的需求正在增加。为了实现在低电压和低功耗下工作的模拟电路,已经研究了使用在弱反相区域rn中工作的MOSFET的模拟电路。众所周知...