13 FETRGDEF_INCONSISTENT_SET セット不整合条件 14 FETRGDEF_INV_RESGROUP リソース・グループが見つかりません。 21 FETRGDEF_INV_ACTION 無効なアクション 22 FETRGDEF_INV_RECADDR 無効なレコード・アドレス 23 FETRGDEF_INV_RECLEN 無効なレコード長 24 FETRGDEF_DIFF_VERSION バージ...
トランジスタは、ゲートに電圧が加えられると、チャネルを通じてソースからドレインに電流が流れ、動き始める。 このとき、ゲートとの接点が大きいほど効率が高まるが、FinFET工程はフィン(Fin)型の3D構造を適用し、接触面積を増やすことで半導体の性能向上を...
メインコンテンツに移動 Main navigation 製品情報 アプリケーション 設計リソース サポート サンプル&ご購入 会社情報 検索 Account カート サンプルリクエスト 言語 ログイン SLG59H1313Cアクティブご購入概要 ドキュメント 設計・開発 製品選択 サポー...
本研究では、バルクフィン上の横型NWFET のソース/ドレイン (S/D)部分に逆凹型コンタクト構造を用いることで、Fig.1に示すような自己発熱効果の低減について検討した。 展开▼ 机译:全方位栅(GAA)结构的纳米线(NW)FET由于其出色的静电特性,有望用于10纳米以下的纳...
1EDL8011は7th FET駆動用(ロードスイッチFET)ハイサイド ゲートドライバーの製品で、危険な突入電流を発生させるフォールト状態からバッテリー駆動システムを保護します。概要 パラメータ 技術資料他 注文 デザインサポート ビデオ サポート EiceDRIVER™ 1EDL8011は、強力なゲート電流供給...
FET-JP008 サイレント・ソードマン LV5 ·参考SOD「ホルスの黑炎竜LV6」的效果处理。注意此卡只...
異なるベータレシオ(β-ratio)を持つ2つのFinFET-SRAMセルを作成し、スタティックノイズマージン(SNM)に着目してSRAM特性の評価を行った。Fin幅15nm、Fin高さ90nm、ゲート長20nm、β-ratio=2のFinFET-SRAMでは、V_(dd)=0.6V時で122mVのSNMが得られた。 このゲート長は、今まで報告されてい...
半導体基板(10)に設けられ、ソース領域(5)、ドレイン領域(D)、チャネル領域(K)、およびゲートスタック(GS)を有する少な 权利要求说明书 【FEMFET device and manufacturing method thereof】的权利说明书内容是...请下载后查看 说明书 【FEMFET device and manufacturing method thereof】的说明书内容是...
TI の AC/DC および DC/DC コンバータ (FET 内蔵) デバイス・ファミリから選択。AC/DC および DC/DC コンバータ (FET 内蔵) のパラメータ、データシート、および設計リソース。
互換の固定スレッショルドによるイネーブル • 高いピーク駆動電流:ソース 2.5A,シンク 2.5A または 5A (VDD 18V 時) • 広い VDD 範囲:10V～35V • 入力およびイネーブル・ピンはグランドから最大 5V (DC) 低い負電圧を許容 • 入力がフローティング時または VDD UVLO 時...