MOSFETは構造上ドレイン・ソース間に、ボディダイオードと呼ばれる寄生ダイオードが形成されます。 図1:MOSFETの断面構造とボディダイオードの等価回路 下図に、MOSFET断面中にボディダイオードが形成される位置と、寄生素子を考慮した等価回路を掲載しまし...
デザインサポート ビデオ トレーニング サポートNチャネル、PチャネルデュアルMOSFET インフィニオンのデュアルMOSFET製品のラインアップでは、MOSFETチップをN+Nチャンネル、N+Pチャンネル、P+Pチャンネルの組み合わせで、クラス最高の性能と高効率のソリューションの堅牢なデュアル...
MOSFETゲートドライバーICとは、MOSFETのゲート電圧を制御することでオン・オフのスイッチングを行うICです。
MOSFETではゲートにプラスの電圧を印加することで、ソースとドレインの間に電流が流れます。この際、シリコンウェーハにSiCを利用しているSiC MOSFETは、Siのみを利用しているMOSFETに比べて、ソースとドレインの間の電圧や電流を大きくしても動作させることが可能です。半導体の不純物の濃度を上...
nチャンネルエンハンスメント形MOSFETを例として基本動作を説明する。第3図に静特性と四つの動作領域を示す。（a） 遮断領域 VGE < VT 第4図に遮断領域での状態を示す。ゲートに電圧を加えないVGE = 0またはしきい値電圧VTより低い状況では、ソース・ドレーン間にはチャンネルとなる反転...
これには、1200 Vスイッチで最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、転流に使用可能なボディダイオードの逆回復損失ゼロ、温度に依存しない低スイッチング損失、スレッショルドフリーのオン特性などが含まれます。CoolSiC™ MOSFETは、力率改善 (PFC) 回路、双方向トポロジー、DC/DCコンバー...
PWMIn GND VDRV ゲート VGS ドレイン ソース VDRV VLS LSource PFCセクションにおける電力効率 LLCセクションにおける電力効率 システムの電力効率 97.5 97.0 96.5 96.0 95.5 95.0 0 200 400 STO67N60M6 600 800 1000 1200 1400 1600 Pout出力(W) STWA67N60M6 システムの電力効率 97% 96% ...
MOSFETは電力を消失し、ドレイン - ソース間の抵抗RDS(ON)で熱を発生します。周囲温度およびMOSFETに利用可能なヒートシンクを含む熱的制約により、消失する電力量には制限があります。この最大許容電力損失により、RDS (ON) 値に基づいたMOSFETが選択されます。
弱反転領域で動作するMOSFETは,ドレインrnゲート,ソースの3端子素子としてモデル化できることがrnよく知られている。 机译:随着CMOS集成电路的小型化,对低电压,低功率的模拟电路的需求正在增加。为了实现在低电压和低功耗下工作的模拟电路,已经研究了使用在弱反相区域rn中工作的MOSFET的模拟电路。众所周知...
STripFET F8は、従来製品に比べて性能指数(FoM)が40%向上し、コンピュータ & 周辺機器アプリケーション、データ・センター、通信、太陽光発電システム、電源、バッテリ・チャージャ、家庭用 & 業務用電気製品、ゲーム、ドローンなどのパワー・ステージの小型化と高