ゲート･ソース間電圧 (VGSS) ゲート･ソース間の絶縁膜に印加できる最大電圧です。ゲート駆動印加電圧がサージを含め、この電圧を超えないように設計します。 ドレイン電流 DC (ID) 直流電流の最大値です。 ドレイン電流 パルス (IDP) ...
TSON Advance(WF)パッケージは、ウェッタブルフランク構造を採用した表面実装タイプで、基板実装状態の自動外観検査が容易です。また、Cuコネクター構造を採用しパッケージ抵抗を低減しました。 ドレイン・ソース間オン抵抗は、-4.5Vの測定条件を追加し、規格化したことで、バッテリー...
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)(mΩ) VGS=10V Max 0.66 1.0 0.74 1.35 チャネル・ケース間過渡熱インピーダンス Zth(ch-c)(°C/W) Tc=25°C Max 0.4 0.67 0.4 0.83 新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
低電圧低下 AEC Q101に準拠 スモールアウトラインSOT 343パッケージ 製品 構成を閉じる 比較する 共有 ダウンロード 3結果 フィルター 表の編集 OPN Product Status Order online Infineon Package name Green Maximum Drain-source voltage Vds ...
インフィニオンは、小信号/小電力MOSFETを幅広くご提供しています。バッテリー保護、バッテリー充電、LED照明、ロードスイッチ、DC/DCコンバータ、レベルシフター、低電圧駆動など、スペースに制約のある自動車、産業、および民生用アプリケーションに最適です。
STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、最新のスーパージャンクション技術を採用し、高速リカバリ・ボディ・ダイオードを内蔵した600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh™ DM6」を発表しました。同製品は、フル / ハーフ・ブリッジ・トポロジ、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)位相シフ...
システムの小型化･高効率化に貢献するSTPOWER SiCパワーMOSFET STPOWER SiC(シリコン･カーバイド)パワーMOSFETは、革新的なワイド･バンドギャップ(WBG)半導体のメリットを提供します。STのSiC(シリコン･カーバイド)MOSFETは、650V～1700Vの広い電圧範囲にて供給されます。最先端のテク...
4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用 : ゲートドライブ用信号ソース端子のケルビン接続でスイッチング損失を低減 第3世代SiC MOSFET ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い 順方向電圧 (ダイオード) が低い : VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V) ...
第2図にnチャンネルMOSFETの構造と印加電圧の様子を示す。p形シリコン基板上に二つのn+ 領域を拡散法で作り、一方をソース、他方をドレーンとする。ここで「+」は不純物濃度が高いことを意味している。ソース・ドレーン間の基板上にはゲート酸化膜（SiO2）を挟んでゲート電極が作られる。ソ...
CMOS集積回路の微細化に伴い,低電圧・低消費電力のrnアナログ回路の必要性が高まっている。低電圧・低消費電rn力で動作するアナログ回路を実現するために,弱反転領域rnで動作させたMOSFETを用いたアナログ回路が研究されrnている。弱反転領域で動作するMOSFETは,ドレインrnゲート,ソースの3端子素...