主な特長アプリケーション 沿面距離8mmのワイドボディパッケージ 高温での動作に最適 アクティブミラークランプ 短絡クランプおよびアクティブシャットダウン 100kV/μs以上のCMTI (1EDU20I12SV: ≥ 50 kV/μs CMTI ) 高精度DESAT保護 12V/11Vの標準的なUVLO閾値 太陽光発電(PV) EV充電...
MOSFETゲートドライバーICとは、MOSFETのゲート電圧を制御することでオン・オフのスイッチングを行うICです。当社MOSFETゲートドライバーICは昇圧回路や保護回路を内蔵しているほか、超小型パッケージ (1.2×0.8mm)、低消費電流、高い最大入力電圧、安定...
短絡時にはMOSFETを保護するため、急速にターンオフを制御する入出力端子があり、マイコンからの独立制御を可能にしました。異常動作発生時は急速にMOSFETをオフします。さらに、高い動作温度定格150 °Cを持ち、高温環境下での動作を可能としました。バッテリー逆接時のリーク電流を抑え、MOSFE...
短絡耐量 2 µs 業界標準となる閾値電圧、VGS(th)= 4.2 V 寄生ターンオンに対する堅牢性 0Vターンオフゲート電圧を印加可能 転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード .XT相互接合技術 利点 高いエネルギー効率 冷却の最適化
nチャンネルエンハンスメント形MOSFETを例として基本動作を説明する。第3図に静特性と四つの動作領域を示す。（a） 遮断領域 VGE < VT 第4図に遮断領域での状態を示す。ゲートに電圧を加えないVGE = 0またはしきい値電圧VTより低い状況では、ソース・ドレーン間にはチャンネルとなる反転...
そのため、スマートパワー・アプリケーションにおいて、性能の向上と新製品開発期間の短縮を実現するとともに、最適化された機能を提供することができます。高度に最適化された小型のPWD13F60は、MtM技術におけるSTのリーダーシップが実現した最新の製品です。
設定可能なアライメント調整時間 設定可能な方向制御 省電力モード 24kHzのPWM出力周波数 最大4Aまでの電流制限を設定可能 短絡保護 (SCP) 過電圧保護 (OVP) 欠相保護 過熱保護 (OTP) ロックロータ保護 選択可能なFGおよびRD出力 SOIC-8およびTQFN-10 (4mm x 4mm) パッケージで提供 もっと見...
優れたゲート酸化膜の信頼性は、最先端のトレンチ設計、同クラスで最も低いスイッチング損失および導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル (ゲイン)、Vth=4Vのしきい値電圧、短絡耐量によって実現されていま...
優れたゲート酸化膜の信頼性は、最先端のトレンチ設計、同クラスで最も低いスイッチング損失および導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル (ゲイン)、Vth=4Vのしきい値電圧、短絡耐量によって実現されています。まさに信頼できる革命です。 これにより、LLCやZVSのよう...
これにより、逆導通動作時の信頼性を保ちながら、オン抵抗の低減を実現し、車載トラクションインバーターなど、モーター制御用インバーターの用途で省エネルギー化に貢献します。 SiC MOSFETのオン抵抗を低減すると、短絡動作[注6]時にMOSFET部に過剰に流れる電流が増加するため、短...