CISS=CGS+CGD(CDS 短路时),COSS=CDS+CGD,CRSS=CGD 图2 考虑寄生电容时的MOSFET模型 下面看一下这些寄生参数是如何影响开关速度的。如图 3,当驱动信号Ui到来的一瞬间,由于MOSFET处于关断状态,此时CGS 和CGD上的电压分别为UGS=0, UGD=-VDD,CGS和 CGD上的电荷量分别为 QGS= 0,QGD= UGDCGD=VDDCGD。接下来 ...
MOSFET的三极存在以下三个电容,分别是:Cgs,Cgd,Cds,输入电容Ciss=Cgs+Cgd,输出电容Coss=Cgd+Cds,反向传输电容Crss=Cgd,也叫米勒电容。 由于米勒电容的存在,MOSFET驱动波形在开通和关断过程中,会有一个“平台”,在一定时间内,驱动电压是不变的。这就是臭名昭著的“米勒平台”...
图7— 用高压偏置三通和AC保护测量MOSFET的漏极-源极(Cds)电容 测量栅极 - 源极电容 (Cgs) 会遇到另两种测量不存在的挑战。除了需要把 AC 保护与漏极短路外,还需要用高压偏置漏极。 解决办法是在漏极与AC 保护间接一个大电容(远大于 Cgd 或Cds),这样漏极看过去的AC 保护阻抗就远小于所看到的源极或漏极...
在功率MOSFET中,主要存在三个寄生电容,分别是栅源电容(Cgs)、栅漏电容(Cgd)和漏源电容(Cds)。 我们来看一下栅源电容(Cgs)。栅源电容是指在MOSFET的栅极和源极之间存在的电容。当MOSFET处于导通状态时,栅源电容主要体现为输入电容,会影响MOSFET的输入特性。而当MOSFET处于关断状态时,栅源电容主要体现为输出电容,...
本次我们不谈论寄生电容如何产生,米勒效应及米勒平台到底对电路有什么影响,只需知道MOSFET的寄生电容主要包括栅源电容(Cgs)、栅漏电容(Cgd)以及漏源电容(Cds)。 其中,我们最关心的是栅源极之间的寄生电容Cgs,它会影响开关速度。当MOSFET工作时,栅极驱动电流会为Cgs充电,充满Cgs越快,我们也就能越快的打开MOSFET。结...
MOSFET的数据手册(datasheet)中常见的电容参数包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)。这些参数与MOSFET的Cgd,Cds和Cgs电容有关,但没有直接列出Cgd和Cgs的值。 Ciss(输入电容): 输入电容是从栅极到源极的总电容(我们一般通过控制GS之间的电压VGS作为输入,所以对于这个输入电压来说的电容,交流模型...
结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss 结电容”的定义适用于所有的FET,并不局限于VMOS,也适用于所有的VMOS晶体管,只是测定方法与标识方法有差异。而且图3 12中的表示方法也是近似的,实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯各组成部分之间、管芯
注2:Cgd,Cgs,Cds为MOSFET的三个寄生电容,在考虑MOSFET开关瞬态时,这三个电容的影响至关重要。 3驱动电阻Rg的计算 3.1驱动电阻的下限值 驱动电阻下限值的计算原则为:驱动电阻必须在驱动回路中提供足够的阻尼,来阻尼MOSFET开通瞬间驱动电流的震荡。 图2 MOSFET开通时的驱动电流 ...
如图1所示的包含寄生元件的反激式转换器拓扑图,其中Cgs、Cgd和 Cds分别为开关管MOSFET的栅源极、栅漏极和漏源极的杂散电容,Lp、Lkp、Lks和Cp分别为变压器的初级电感、初级电感的漏感、次级电感的漏感和原边线圈的杂散电容,Cj为输出二极管的结电容。图5为反激变换器工作在DCM工作模式时,开关管分别工作在(a)开通...
主要Cgs占主导。Cgs>>Cgd。这个时候Rds会随着Vgs增大会变小，当Vgs增加一定程度Rds就不会再减小，会维持到Rds(on)。而Rds减小过程中，ID也会随着增加，当Rds不再变化时ID也就不变了，波形如下。仿真波形如下：以上就是阻性负载的分析过程，后面会接着分析感性负载的导通过程。#一人一句为考研加油# ...