主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。参数列表如下所示: 1、栅极电荷(Qg) 栅极电荷是指为导通MOSFET而注入到栅极电极的电荷量,有时也称为总栅极电荷。总栅极电荷包括Qgs 和Qgd。Q gs表示栅极-源的电荷量,Qgd表示栅极-漏极的电荷量,也称米勒电荷量。单位为库伦(C),总栅极电荷量越大,则导通MOSFET所需的电容...
驱动电荷是指MOS管开关过程中所需电荷的数量:包括总的驱动电荷(QG)、栅极-源极充电电荷(QGS)、栅极-漏极充电电荷(QGD)。QG决定着栅极峰值电流及驱动损耗,QGD相当于米勒电容CRSS,依存电源电压VDS,影响开关特性;高频(f≥100kHZ)应用中,若Ron*Qg和Ron*Qgd的积越小,器件的性能就越高。 图4:栅源电压和栅电荷的...
主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示 1、栅极电荷 ( Qg ) 栅极电荷是指为导通MOSFET而注入到栅极电极的电荷量,有时也称为总栅极电荷。 总栅极电荷包括 Qgs 和 Qgd。 Q gs表示栅极-源的电荷量,Qgd 表示栅极-漏极的电荷量,也称米勒电荷量。 单位为库伦(C),总栅极电荷量越大,则导通MOSF...
lPS:Qg越小,管子开通过程所需时间越短,开关损耗越小。 Qg测试电路 Qg时间划分 (5)Qgs:栅源总充电电荷量 l参数讲解:这个参数标定了Qgs从0电荷开始到第一个拐点处(miller平台电压)所需要的总电荷量。 lPS:这个电荷越大意味着输入电容越大,会导致开关损耗变大。 (6)Qgd:栅漏总充电电荷量 l参数讲解:这个参数...
QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下: QG = QGS + QGD + QOD 其中: QG--总的栅极电荷 QGS--栅极-源极电荷 QGD--栅极-漏极电荷(Miller) QOD--Miller电容充满后的过充电荷 典型的MOSFET曲线如图1所示,很多MOSFET厂商都提供这种曲线。可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且...
Coss和Crss:这两项参数对MOSFET关断时间略有影响,其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时,传输到MOSFET栅极电压能力的大小,对雷击测试项目有一点的影响。 说明: 测试条件: 影响: 说明: Qg:栅极总充电电量 Qgs:栅极充电电量 Qgd:栅极充电电量 tD(on):漏源导通延迟时间 ...
Qg , Qgs , Qgd特性 栅极电荷可分为三种: Qg(栅极电荷):使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷,是指MOSFET开关完全打开,Gate极所需要的电荷量。 Qgs 栅极-源极电荷 Qgd 栅极-漏极电荷 MOSFET的Qg可以理解为:当G级电容充至多少电荷时,MOSFET才能有效打开;放电至多少电荷时, MOSFET才会有效关断,所以Qg就存在一...
展示了晶片级的抽样测量MOSFET参数如Rg、Crss、Ciss和Coss,它们是100%检测以保证器件的开关参数Qgs、Qgd、Qg、td(on)、trise、td(off)和tfall。更宽的测量用来展示精确度和晶片级的测量原理的有效性。工艺级的结构参数和真正测量的Rg和电容的趋势图也同时示出。优异的工艺控制表明会对MOSFET的Rg和器件电容进行优异...
输入电压12V,输出电压3.3V/6A,开关频率350kHz,PWM栅极驱动器电压为5V,导通电阻1.5Ω,关断的下拉电阻为0.5Ω,所用的MOSFET为AO4468,具体参数为Ciss=955pF,Coss=145pF,Crss=112pF,Rg=0.5Ω;当VGS=4.5V,Qg=9nC;当VGS=10V,Qg=17nC,Qgd=4.7nC,Qgs=3.4nC;当VGS=5V且ID=11.6A,跨导gFS=19S;当VDS=VGS且ID...
Qg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。 Qgd:栅极和漏极电荷 Qgs:栅极和源极电荷 栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,栅极使用恒流源驱动,也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电,漏极电流ID由外部电路提供,VDS设定为最大额定值的50%。漏极电流从0增加到ID过程中,分别测量VGS、栅极充电时间...