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其中最显著的区别，莫过于SiC的临界电场强度是Si的10倍。这意味着，要达到同样的击穿电压，SiC器件所需要的漂移区厚度，要大大小于硅器件，从而SiC器件的漂移区电阻也会减小。这样的特性，自然也造就了Si MOSFET和SiC MOSFET的不同结构。传统的Si MOSFET是平面型器件 这种器件，如果要达到比较高的耐压，通常需要增加...
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必应词典为您提供cmosfet的释义,网络释义: 式金氧半场效电晶体;体管;
深P阱的另一个功能,是作为体二极管的阳极。通常的MOSFET体二极管阳极都是由P基区充当,深P阱的注入浓度和深度都高于P基区,可以使体二极管导通压降更低,抗浪涌能力更强。 因此, 我们可以看出,SiC MOSFET使用沟槽栅能大大提升其参数、可靠性及寿命。 SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT对应的工作环境 ...
SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT对应的工作环境 Si-MOSFET 、Si-IGBT 、GaN-MOSFET、SiC-MOSFET的电压、频率、功率之间的比较如下图所示: 来源:英飞凌,罗姆半导体 GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基 SiC MOSFET 主打高压领域;GaN MOSFET 主打高频领域。
互补型金属-氧化物-半导体集成电路，主要优点是：输入阻抗高，抗干扰能力强，功耗小（约为双极集成电路的1/10~~1/100），集成度高（适合大规模集成），现在已经是集成电路的主流了。课本上是这么说的。
封装 TO-220C 批号 23+ 数量 325641 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 100C 最小电源电压 4V 最大电源电压 8.5V 长度 9.1mm 宽度 6.4mm 高度 1.2mm 可售卖地 全国 型号 AGM035N10C 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活...
型号 AOSP32320C 简介 深圳市远大金宁电子有限公司是一家专业的电子元器件代理商/现货销售商/ 分销商 , 公司设立国外采购部为客户面向全世界进行购 致力于世界著名电子产品在国内外的推广与销售 , 是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件供应商 ,公司备有大量现货库存 、 专业 销售世界知名品牌电子元器件 , ...