与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）FET在功率密度和效率方面表现出色。SiC器件能够提供高达1,200V的电压等级，并具备高载流能力，非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场以及大型三相电网转换器等应用。而GaN FET，如600V等级的产品，在高功率密度转换器...
在GaN芯片产线布局方面，Infineon做到了SiC和GaN两手抓。据悉，早在去年2月，Infineon就已斥资20亿欧元在马来西亚建设第三个厂区用于生产SiC和GaN功率半导体，同年表示将对奥地利菲拉赫工厂的Si生产线改造，转而提供SiC和GaN的产能。5月，媒体消息称Infineon牵头带领45家包括比利时研究和工艺开发实验室imec、Nexperia、Erics...
近年来,以SiC(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。SiC和Si来竞争制造功率半导体无论是在科学和实践上都得到了实力上的体现,尤其是随着新能源电动车的普及和发展,主机厂开始转向800V高压平台,对SiC的需求量越来越大,其在汽车上的应用步...
近年来,以SiC(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。SiC和Si来竞争制造功率半导体无论是在科学和实践上都得到了实力上的体现,尤其是随着新能源电动车的普及和发展,主机厂开始转向800V高压平台,对SiC的需求量越来越大,其在汽车上的应用步...
同时,虽然SiC是化合物半导体材料,但是仍然可以在其上通过热氧化的方法形成二氧化硅(SiO2)层,这对于制造SiC栅控型器件非常有利。以上种种优势使得SiC和氮化镓(GalliumNitride,GaN)、金刚石材料(Diamond)一起被誉为发展前景十分广阔的第三代半导体材料。 得益于SiC优良的材料特...
表Si/SiC/GaN基本材料特性 经过几十年的发展,硅正在达到其性能的极限,Si基器件性能提高的潜力愈来愈小。但新结构和新封装的引入升级仍推动着硅基器件的应用和市场发展。此外,以碳化硅为代表的宽禁带功率半导体器件凭借其优异的性能,逐步应用于高压、高频、高温和大功率电力电子领域。SiC被认为是一种超越 Si 极限的...
SJ(超结)MOSFET采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降,在高压应用时优势尤其突出。但是,以宽禁带半导体(碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN))形式出现的新材料技术正在提供可改善电路设计人员选择的选择,特性更接近理想的开关。 半导体材料发展路径(数据来源:浙商证券研究所 )工程师在性能、成本、操作、尺寸、热效率和可用...
1、高功率半导体IGBT、SiC、GaN测试设备有哪些？功率半导体设备被广泛应用于电力输电、轨道交通、新能源汽车和航空航天等行业。它不仅在市场上需求量大，而且还具备节能和环保的综合社会效益，可以推动社会的可持续发展。在功率半导体的研发和设计应用中，对设备的测试技术要求越来越严格。功率半导体设备是电力电子技术及其...
车规级技术研发方面,我们不仅在布局从400V到800V的SiC平台技术升级,我们也在布局GaN产品和嵌入式封装产品的技术开发,正在为配合主机厂的定制或者标准产品的送样。 合作进展亮点方面,士兰是国内SiC晶圆和模块产品率先实现上车的企业之一,今年年底士兰的FS5++平台IGBT晶圆也将实现上车,而我们的第三代SiC产品目前也已经在...
庄渊棋分析，SiC、GaN要在DC-DC取代IGBT也有一定难度，因为环境要求没有OBC、马达逆变器端来得严苛，用成本最具竞争力的IGBT可以展现相当优越的性价比。同样在充电桩领域，因为对重量及空间不需锱铢必较，要拔掉成本最具优势的IGBT难度也高。中、高电压的GaN，相较于小电压的3C充电头，在制程上也有不同的挑战仍待...