以上种种优势使得SiC和氮化镓(GalliumNitride,GaN)、金刚石材料(Diamond)一起被誉为发展前景十分广阔的第三代半导体材料。 得益于SiC优良的材料特性,SiC IGBT在超高压(≥15kV)应用领域具有不可替代的地位,例如电力传输、电力存储、超高压电网接口等超高压电力传输系统,以及舰...
SiC器件的高效节能、小型轻量化、高温工作能力和快速开关等特点使其成为新能源汽车中的理想选择。采用SiC器件可以显著降低功耗，提高能源利用效率，同时减小器件的体积和重量，优化车辆布局。此外，SiC器件的高温工作能力使得新能源汽车能够在更复杂的工作条件下稳定运行。然而，SiC器件的成本较高，制造工艺复杂，这限制了...
同时,虽然SiC是化合物半导体材料,但是仍然可以在其上通过热氧化的方法形成二氧化硅(SiO2)层,这对于制造SiC栅控型器件非常有利。以上种种优势使得SiC和氮化镓(GalliumNitride,GaN)、金刚石材料(Diamond)一起被誉为发展前景十分广阔的第三代半导体材料。 得益于SiC优良的材料特性,SiC IGBT在超高压(≥15kV)应用领域具有不...
以（SiC）、（GaN）为代表的宽禁带（第三代）半导体凭借优异的物理特性，天然适合制作高压、高频、高功...
SiC是一种宽禁带半导体材料，可以做到很高的耐压下芯片还很薄，而现在SiC的Mosfet可以做到6500V耐压，已经...
SiC 基 IGBT 较 Si 基 IGBT 具有高耐压、高功率的特点,然而其在发展过程中也遇到较大的挑战,如导通特性较差、电导调制不强、关断速度较慢等。为解决以上问题,新型结构的 SiC 基 IGBT 结构应运而生。 本文概述了 SiC IGBT 的发展历程,梳理了 P 沟道SiC IGBT 和 N 沟道 SiC IGBT 的经典器件,总结了SiC ...
浅析功率半导体IGBT及SiC技术的相关知识 一、IGBT的应用 电力电子技术在新能源汽车中应用广泛,是汽车动力总成系统高效、快速、稳定、安全能量变换的基础。新能源汽车中DC/DC拓扑主要应用于车载充电器,AC/DC拓扑主要应用于充电桩,DC/AC拓扑则主要应用于电机控制器。电机控制器用于实现大功率直流/交流变换之后驱动电动机,...
碳化硅（SiC）与IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在半导体领域都有着重要的应用。碳化硅（SiC）与IGBT的应用 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点。这使得碳化硅器件能够大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。在电力电子领域，碳化硅的高电场饱和漂移速度和高击穿电场...
综上所述，碳化硅与IGBT在半导体领域各自展现出独特的应用价值，并通过相互结合共同推动电力电子系统的发展。碳化硅（SiC）与IGBT芯片的测试在电力电子领域占据着举足轻重的地位。这两种高性能功率半导体器件的测试，不仅关乎其物理、化学和电学性能的全面评估，更对电力电子系统的稳定运行和性能提升有着直接影响。碳化硅（...
尽管如此，SiC IGBT已在某些高耐压开关场合得到小范围应用，例如换流站和牵引站。然而，其大规模推广仍需时日。展望未来，全球范围内对SiC的期望和投资持续增加。SiC作为一种具有巨大潜力和优势的半导体材料，在高压大功率领域的应用前景广阔。然而，是否会大规模使用SiC来制造IGBT，还需考虑技术进步、成本降低以及市场需求...