▋2.2 SiC-SBD的反向恢复损耗和开通损耗的改善 图4是额定1200V/200A的高速混合型模块和X系列Si模块的反向恢复波形的比较。高速混合型模块的反向恢复电流的峰值减小了约60%。这是由于SiC-SBD是一种单极元件、不存在少数载流子的注入。高速混合型模块的反向恢复损耗Err,和X系列的Si模块相比降低了92%。 图4 反向恢复...
碳化硅 (SiC) 由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,特別是近年来,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势,进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。 宽禁带碳化...
由于芯片尺寸和焊盘图案更小,IGBT和SiCSBD上现有的压力接触方法尚未用于SiCMOSFET。在本文中,为了在SiCMOSFET上实现压力接触,在压力接触中介层中使用柔性和微型压针来实现芯片上侧连接。压力和接触电阻仅取决于压针的压缩比。它允许更大的夹紧压力分布公差,从而简化了压力包装的制造和夹紧结构的开发。 •适合SiCMOSFET...
图4 显示了 SiC SBD 与 IGBT 集成的理想效果。如图所示,与传统的 Si FRD 集成 IGBT 相比,SiC SBD 集成 IGBT 与新型 IGBT 一样,可以限制超过 10A 的电流损耗,并将功率器件的反向恢复时间缩短多达 60%。如图 5 所示,通过将 SiC SBD 用作 FRD,混合 IGBT 与传统 IGBT 相比可显着降低高达 67% 的开关损耗,...
在这场电子行业的盛会中,希尔电子紧扣主题,四大核心产品线闪耀登场——整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET,吸引了行业客户瞩目。 整流器件 涵盖600V-2500V全电压段,电流0.5A-300A,全型号、全系列、全方位满足客户多样化的需求。 FRD器件 涵盖200V-2000V全电压段,电流4A-400A,TO-220、TO-263、TO-3P...
在开关损耗方面,在 IGBT+FRD(快恢复二极管)和 SiC MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)之间的比较中,PWM 频率(开关频率)越快,SiC MOSFET+SBD 越具优势,与上述②中的比较结果一致。这是由于受IGBT+FRD的特点——导通时的反向恢复电流和关断时的尾电流的影响。SiC MOSFET+SBD 因其不会流过尾电流而使开关损耗得以显著改...
比较开关OFF时的波形可以看到,SiC-MOSFET原理上不流过尾电流,因此相应的开关损耗非常小。在本例中,SiC-MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)的组合与IGBT+FRD(快速恢复二极管)的关断损耗Eoff相比,降低了88%。 还有重要的一点是IGBT的尾电流随温度升高而增加。顺便提一下,SiC-MOSFET的高速驱动需要适当调整外置的栅极电阻Rg。
1、拥有SiC SBD至SiC模块全线产品,高压SiC器件已应用于大型地铁项目 SiC 功率器件能够提升电动汽车能效,2026 年车用 SiC 功率元件市场规模将达 39.42 亿美元。SiC 功率器件具有导 通损耗低、开关损耗低、耐高压等优势,能够在相同的续航里程下削减电池容量,提高电动车能效。为进一步提升电 动汽车动力性能,全球各大...
SiC-MOSFET的特征 SiC-SBD的章节中也使用了类似的图介绍了耐压覆盖范围。本图也同样,通过与Si功率元器件的比较,来表示SiC-MOSFET的耐压范围。 目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势,现将1kV以上的产品与当前主流的Si-IGBT来比较一下看看。相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗...
2021年，斯达半导定增获得发审委通过，将募资35亿元用于IGBT芯片、SiC芯片的研发及生产。预计将会达成6英寸IGBT产能30万片/年，6英寸SiC芯片产能6万片/年。具体投产时间未知。根据时代电气在10月的投资者关系活动记录表，其IGBT一期加二期设计达产产能是36万片，到目前月度可以提升到将近4万片，全年可以到45万片，...