該項研究採用了英飛凌車規級功率模塊 HybridPACK™ Drive的封裝形式,一款是基於750V EDT2 IGBT 的技術,另外一款則採用了 1200V CoolSiC™ 碳化矽MOSFET 技術。 能耗的比較是集中在400V 和800V 的240千瓦電動 SUV上利用WLTP循環來進行的。 研究表明:在相同的行駛條件、行駛里程下,在配備了 1200V SIC MOSFET ...
其設計的初衷,SiC在中小功率等級使用時具有更低的損耗、更高的效率,而IGBT在大功率輸出時相對更有優勢。為了充分發揮SiC和IGBT 各自的優點,雙電驅可以採用不同半導體器件進行搭配。 主驅使用SiC, 保持持續運行且覆蓋90%以上的WLTP驅動周期。 輔驅採用IGBT,提供額外的扭矩,以提供4輪驅動能力和最大性能。 在這種配置...
VVVFサウンド No.3】小田急 フルSiCが奏でるVVVFサウンド! 5000形・1000形R・30000形R[ 432 2 1:11:08 App 三菱IGBT-VVVFサウンド40種類聞き比べ! 332 -- 1:28:24 App 全国GTO-VVVFいいサウンド集! 229 -- 3:02 App 【60P】JR信越本線115系・E129系(東洋IGBT-VVVF)到着・発車シ...
ケルビン接続端子付きTO-247 4ピンパッケージのCoolSiC™ハイブリッド ディスクリートを使用することで、スイッチング損失はさらに低減し、効率が向上します。 製品 構成を閉じる 比較する 共有 ダウンロード 12結果 フィルター 表の編集...
車載CoolSiC™ モジュール HybridPACK™ と EasyPACK™ HybridPACK™ および EasyPACK™ 評価キット 製品 構成を閉じる 比較する 共有 ダウンロード 21結果 フィルター 表の編集 製品 Product Status Housing Technology Configuration IC(nom)/ IF(nom) ...
研究小組發現,雖然利用碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)等其他材料能夠實現節能的宗旨,但人們仍在積極尋求找到廣泛使用且便宜的標準矽元件的節能方案。東京工業大學的K Tsutsui及同事們一直在研究矽絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。雖然IGBT的效率不錯,但減少導通電阻或集電極到發射極飽和電壓(Vce(sat))有助於進一步提高這些元件的...
全部品牌/製造商 XLSEMI DongWoon 南麟 DIODES 华润微电子 Texas Instruments Relmon 功成半导体 SINOMCU晟矽微电 MASS CHIP GSMicro APM 远翔科技FEELING 欧创芯OCX 智芯Hichips 上海琪埔维Chipways 屹晶微EGmicro AISPEECH Seaward Electronics
LED智能照明差異化之路:智能微波人體感應,以用戶為導向,把光學、電子和感應這三部分的芯片整合到壹起,做出比較創新的自動感知不用人為去操控的智能感應的方案。 Dongwoon Anatech品牌的DW8501,1.5A大電流DC-DC線性恒流IC應用優點及使用配合條件說明 友情鏈接 ...
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